外源等离子体溅射Mg2Si薄膜以及光电性能的研究
摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
1 绪论 | 第11-32页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 太阳能电池的介绍 | 第12-19页 |
1.2.1 太阳能的概念及其分类 | 第12-13页 |
1.2.2 太阳能电池的发展历程及发展趋势 | 第13-15页 |
1.2.3 太阳能电池工作原理 | 第15-17页 |
1.2.4 太阳能电池性能参数 | 第17-19页 |
1.3 吸光层材料的研究现状 | 第19-22页 |
1.4 Mg_2Si薄膜的性质 | 第22-24页 |
1.5 Mg_2Si薄膜的制备方法 | 第24-29页 |
1.5.1 脉冲激光沉积 | 第24-25页 |
1.5.2 分子束外延 | 第25-26页 |
1.5.3 磁控溅射 | 第26-27页 |
1.5.4 薄膜的形成与生长 | 第27-29页 |
1.6 Mg_2Si薄膜的研究现状 | 第29-31页 |
1.7 本课题的研究目的及意义 | 第31-32页 |
1.7.1 研究目的 | 第31页 |
1.7.2 研究意义 | 第31-32页 |
2 实验过程以及表征方法 | 第32-40页 |
2.1 制备Mg_2Si的方法:远源等离子体溅射 | 第32-33页 |
2.2 Mg_2Si薄膜的制备过程 | 第33-36页 |
2.2.1 薄膜制备的前期准备 | 第33-34页 |
2.2.2 薄膜制备过程 | 第34-36页 |
2.3 Mg_2Si薄膜的测试分析方法 | 第36-40页 |
2.3.1 薄膜的厚度测量 | 第36页 |
2.3.2 薄膜的结构与表面分析方法 | 第36-38页 |
2.3.3 薄膜的力学性能测试 | 第38页 |
2.3.4 薄膜的光学性质测试 | 第38页 |
2.3.5 薄膜的电学性能测试 | 第38-40页 |
3 等离子体溅射Mg_2Si薄膜参数优化 | 第40-58页 |
3.1 沉积速率 | 第40-50页 |
3.1.1 不同工艺参数下Mg的溅射速率 | 第41-46页 |
3.1.2 不同溅射参数下Si的溅射速率 | 第46-50页 |
3.2 最佳Mg/Si面积比的确定 | 第50-54页 |
3.3 最佳PLS功率的确定 | 第54-55页 |
3.4 最佳Target RF的确定 | 第55-58页 |
4 热处理对薄膜结构与性能的影响 | 第58-74页 |
4.1 热处理对薄膜结构的影响 | 第58-67页 |
4.1.1 XRD分析 | 第58-61页 |
4.1.2 SEM分析 | 第61-63页 |
4.1.3 XPS分析 | 第63-66页 |
4.1.4 拉曼分析 | 第66-67页 |
4.2 热处理对薄膜力学性质的影响 | 第67-68页 |
4.3 热处理对薄膜光学性质的影响 | 第68-71页 |
4.4 热处理对薄膜电学性质的影响 | 第71-74页 |
5 结论与展望 | 第74-76页 |
5.1 结论 | 第74-75页 |
5.2 展望 | 第75-76页 |
参考文献 | 第76-81页 |
个人简历 | 第81-82页 |
致谢 | 第82页 |