| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-28页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 纳米材料概论 | 第11-16页 |
| 1.2.0 纳米材料的定义 | 第11-13页 |
| 1.2.1 纳米材料的分类 | 第13-14页 |
| 1.2.2 纳米材料的制备方法 | 第14-15页 |
| 1.2.3 纳米材料的特性 | 第15-16页 |
| 1.3 杂化纳米材料 | 第16-26页 |
| 1.3.1 杂化纳米材料的概念 | 第16-17页 |
| 1.3.2 无机/有机杂化材料的制备 | 第17-21页 |
| 1.3.3 半导体材料的基本概念 | 第21-24页 |
| 1.3.4 无机/有机半导体杂化材料的应用 | 第24-26页 |
| 1.4 本论文设计思想 | 第26-28页 |
| 第2章 CuTCNQ/CuS有机/无机杂化纳米材料的制备和电学性质的研究 | 第28-46页 |
| 2.1 CuTCNQ/CuS异质结纳米线的合成与电学性能的研究 | 第28-37页 |
| 2.1.1 引言 | 第28-29页 |
| 2.1.2 实验部分 | 第29-31页 |
| 2.1.3 结果与讨论 | 第31-36页 |
| 2.1.4 本节小结 | 第36-37页 |
| 2.2 CuTCNQ/CuS异质结纳米线不同结面积与整流比关系的探究 | 第37-46页 |
| 2.2.1 引言 | 第37页 |
| 2.2.2 实验部分 | 第37-39页 |
| 2.2.3 结果与讨论 | 第39-45页 |
| 2.2.4 本节小结 | 第45-46页 |
| 第3章 CuTCNQ/石墨炔有机/有机杂化材料的制备和场发射性质的研究 | 第46-63页 |
| 3.1 引言 | 第46-48页 |
| 3.2 实验部分 | 第48-51页 |
| 3.2.1 实验试剂与仪器 | 第48-49页 |
| 3.2.2 石墨炔薄膜的制备 | 第49-50页 |
| 3.2.3 CuTCNQ纳米线的制备 | 第50页 |
| 3.2.4 在石墨炔薄膜上生长CuTCNQ纳米线 | 第50-51页 |
| 3.2.5 形貌表征 | 第51页 |
| 3.2.6 XPS表征 | 第51页 |
| 3.2.7 拉曼光谱表征 | 第51页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第51-62页 |
| 3.3.1 石墨炔薄膜的表征 | 第51-55页 |
| 3.3.2 CuTCNQ纳米线的表征 | 第55-57页 |
| 3.3.3 石墨炔/CuTCNQ杂化纳米材料的表征 | 第57-59页 |
| 3.3.4 石墨炔/CuTCNQ杂化纳米材料场发射性质的研究 | 第59-62页 |
| 3.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-71页 |
| 攻读硕士学位期间主要研究成果 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 作者简介 | 第74页 |
