| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 短脉冲激光应用 | 第9-10页 |
| 1.2 新型宽带可饱和吸收体材料 | 第10-11页 |
| 1.3 石墨烯材料 | 第11-19页 |
| 1.3.1 GR结构特性 | 第12-15页 |
| 1.3.2 GR功能化 | 第15-16页 |
| 1.3.3 GR SAs及GO SAs在国内外发展历程 | 第16-19页 |
| 1.4 二硫化钼简介及发展历程 | 第19-21页 |
| 1.5 本论文主要工作 | 第21-23页 |
| 第二章 二维材料制备方法和转移方法 | 第23-31页 |
| 2.1 二维材料制备方法 | 第23-25页 |
| 2.2 二维材料转移方法 | 第25-29页 |
| 2.2.1 点滴法 | 第25页 |
| 2.2.2 复合材料转移方法 | 第25-27页 |
| 2.2.3 磁控溅射技术 | 第27-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 Langmuir-Blodgett技术 | 第31-43页 |
| 3.1 LB膜技术简介 | 第31-32页 |
| 3.1.1 LB膜技术特点 | 第31页 |
| 3.1.2 LB膜在生物学应用 | 第31-32页 |
| 3.1.3 LB膜技术在MOFs领域的应用 | 第32页 |
| 3.1.4 LB膜技术在光学领域应用 | 第32页 |
| 3.2 LB膜技术原理 | 第32-35页 |
| 3.3 LB膜转移方法 | 第35-36页 |
| 3.4 薄膜膜表征 | 第36-41页 |
| 3.4.1 金相显微镜表征 | 第36-37页 |
| 3.4.2 Raman表征 | 第37-38页 |
| 3.4.3 扫描电子显微镜SEM表征 | 第38-39页 |
| 3.4.4 AFM表征 | 第39-40页 |
| 3.4.5 紫外分光光度计UV | 第40-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 GO LB SA调Q实验 | 第43-55页 |
| 4.1 GO LB SA制备 | 第43-49页 |
| 4.1.1 实验材料与设备 | 第43-44页 |
| 4.1.2 实验制备 | 第44-46页 |
| 4.1.3 不同表面压对比分析 | 第46-49页 |
| 4.2 Nd:GdVO_4激光实验 | 第49-52页 |
| 4.2.1 LD激光器的优点 | 第49页 |
| 4.2.2 掺钕钒酸钆晶体(Nd:GdVO_4)简介 | 第49-50页 |
| 4.2.3 Nd:GdVO_4晶体的优点 | 第50-51页 |
| 4.2.4 GO LB SA腔型设计 | 第51-52页 |
| 4.3 GO LB SA调Q实验结果及分析 | 第52-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 基于MoS_2 LB SA激光调Q实验 | 第55-67页 |
| 5.1 MoS_2 LB膜实验试剂 | 第55-56页 |
| 5.2 MoS_2溶液制备 | 第56页 |
| 5.3 MoS_2 LB膜制备过程 | 第56-58页 |
| 5.3.1 LB膜准备过程 | 第56-57页 |
| 5.3.2 基片处理 | 第57-58页 |
| 5.3.3 制膜过程 | 第58页 |
| 5.4 MoS_2 LB SA表征 | 第58-61页 |
| 5.4.1 MoS_2 LB膜Raman表征 | 第58页 |
| 5.4.2 MoS_2 LB膜金相显微镜表征 | 第58-59页 |
| 5.4.3 MoS_2 LB膜SEM表征 | 第59-60页 |
| 5.4.4 MoS_2 LB SAAFM表征 | 第60页 |
| 5.4.5 MoS_2 LB SA光学特性 | 第60-61页 |
| 5.5 Nd:GdVO_4激光器调Q实验 | 第61-65页 |
| 5.5.1 MoS_2 LB SA调Q实验光路设计 | 第61页 |
| 5.5.2 MoS_2 LB SA调Q实验结果及分析 | 第61-65页 |
| 5.6 本章小结 | 第65-67页 |
| 第六章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 6.1 主要工作 | 第67页 |
| 6.2 工作展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 附录 | 第77-79页 |
| 攻读学位期间科研成果 | 第79页 |
