| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-32页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 硫属化合物的分类及结构 | 第12-15页 |
| 1.2.1 过渡金属硫属化合物 | 第12-14页 |
| 1.2.2 ⅢA-ⅤA族硫属化合物 | 第14-15页 |
| 1.3 二维硫属化合物纳米材料的制备及应用 | 第15-18页 |
| 1.3.1 二维硫属化合物纳米材料的制备 | 第15-17页 |
| 1.3.2 二维硫属化合物纳米材料的应用 | 第17-18页 |
| 1.4 二维硫属化合物纳米材料性质的实验研究 | 第18-21页 |
| 1.4.1 力学性质 | 第18-20页 |
| 1.4.2 光学性质 | 第20-21页 |
| 1.5 二维硫属化合物纳米材料的能带调控 | 第21-30页 |
| 1.5.1 电子结构 | 第21-23页 |
| 1.5.2 能带调控 | 第23-30页 |
| 1.6 新型二维材料探索 | 第30页 |
| 1.7 选题思路及研究内容 | 第30-32页 |
| 1.7.1 选题思路 | 第30-31页 |
| 1.7.2 研究内容 | 第31-32页 |
| 第二章 基础理论和计算软件 | 第32-41页 |
| 2.1 密度泛函理论(DFT) | 第32-39页 |
| 2.1.1 Thomas-Fermi-Dirac理论 | 第32-33页 |
| 2.1.2 Hohenberg-kohn定理 | 第33-35页 |
| 2.1.3 自洽Kohn-Sham方程 | 第35-37页 |
| 2.1.4 交换关联泛函 | 第37-39页 |
| 2.2 计算软件简介 | 第39-41页 |
| 第三章 应力对二维过渡金属硫属化合物纳米材料及异质结电子结构的影响 | 第41-67页 |
| 3.1 引言 | 第41-42页 |
| 3.2 应力对二维MX_2(M=Mo、W；X=S、Se)纳米材料电子结构的调控 | 第42-56页 |
| 3.2.1 计算模型和方法 | 第42-44页 |
| 3.2.2 无应力状态下双层MX_2纳米膜的电子结构 | 第44-46页 |
| 3.2.3 面内双轴应力对二维MX_2纳米材料电子结构的调控 | 第46-50页 |
| 3.2.4 法向压应力对二维MX_2纳米材料电子结构的调控 | 第50-55页 |
| 3.2.5 本节小结 | 第55-56页 |
| 3.3 应力对异质结MoS_2/MX_2(MX_2=WS_2、MoSe_2、WSe_2)电子结构的调控 | 第56-65页 |
| 3.3.1 计算模型和方法 | 第56-57页 |
| 3.3.2 无应力状态下异质结MoS_2/MX_2(MX_2=WS_2、MoSe_2、WSe_2)的电子结构 | 第57-60页 |
| 3.3.3 面内双轴应力对MoS_2/MX_2异质结电子结构的调控 | 第60-63页 |
| 3.3.4 法向压应力对MoS_2/MX_2异质结电子结构的调控 | 第63-65页 |
| 3.3.5 本节小结 | 第65页 |
| 3.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 第四章 过渡金属硫属化合物纳米膜超晶格量子阱特性研究 | 第67-88页 |
| 4.1 引言 | 第67-69页 |
| 4.2 计算模型和方法 | 第69-73页 |
| 4.2.1 计算模型 | 第69-70页 |
| 4.2.2 计算方法 | 第70-73页 |
| 4.3 超晶格的最优结构及稳定性 | 第73-75页 |
| 4.3.1 超晶格的最优结构 | 第73-75页 |
| 4.3.2 超晶格的稳定性 | 第75页 |
| 4.4 量子阱的形成及其电子结构特征 | 第75-82页 |
| 4.4.1 量子阱的形成 | 第75-77页 |
| 4.4.2 MoS_2/WSe_2量子阱的能带结构特征 | 第77-81页 |
| 4.4.3 界面间的电荷转移情况 | 第81-82页 |
| 4.5 应力对量子阱的影响 | 第82-84页 |
| 4.6 2MoS_2/2WSe_2量子阱特性 | 第84-87页 |
| 4.7 本章小结 | 第87-88页 |
| 第五章 衬底对二维过渡金属硫属化合物纳米材料电子结构的影响 | 第88-100页 |
| 5.1 引言 | 第88-89页 |
| 5.2 SiO_2衬底对单层MoS_2纳米膜电子结构的影响 | 第89-92页 |
| 5.2.1 计算模型和方法 | 第89-90页 |
| 5.2.2 MoS_2/SiO_2结构的稳定性 | 第90页 |
| 5.2.3 MoS_2/SiO_2的电子结构 | 第90-92页 |
| 5.2.4 本节小结 | 第92页 |
| 5.3 LiNbO_3衬底对单层和双层MoSe_2纳米膜电子结构的影响 | 第92-98页 |
| 5.3.1 计算模型和方法 | 第92-94页 |
| 5.3.2 MoSe_2/LiNbO_3和2MoSe_2/LiNbO_3结构的稳定性 | 第94页 |
| 5.3.3 MoSe_2/LiNbO_3和2MoSe_2/LiNbO_3的电子结构 | 第94-98页 |
| 5.3.4 本节小结 | 第98页 |
| 5.4 本章小结 | 第98-100页 |
| 结论与展望 | 第100-103页 |
| 参考文献 | 第103-119页 |
| 附录 | 第119-128页 |
| 攻读博士学位期间取得的科研成果 | 第128-130页 |
| 致谢 | 第130-131页 |
| 个人简介 | 第131页 |
