| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 光电化学（photoeletrochemical，PEC）原理 | 第10-16页 |
| 1.2.1 半导体的能带模型 | 第10-13页 |
| 1.2.2 半导体/溶液界面光效应 | 第13-14页 |
| 1.2.3 光电化学反应的基本原理 | 第14-16页 |
| 1.3 硫化镉光电半导体材料简介 | 第16-19页 |
| 1.3.1 硫化镉合成方法 | 第16-18页 |
| 1.3.2 硫化镉材料的应用 | 第18-19页 |
| 1.4 石墨烯研究简介 | 第19-22页 |
| 1.4.1 石墨烯的研究背景 | 第19-20页 |
| 1.4.2 石墨烯的结构性能与应用 | 第20页 |
| 1.4.3 石墨烯纳米材料的制备 | 第20-22页 |
| 1.5 研究目的，内容与技术路线 | 第22-24页 |
| 1.5.1 研究目的 | 第22页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第22-23页 |
| 1.5.3 技术路线 | 第23-24页 |
| 2 实验材料和分析方法 | 第24-28页 |
| 2.1 实验材料 | 第24-26页 |
| 2.1.1 实验药剂 | 第24-25页 |
| 2.1.2 实验仪器和常规清洗方法 | 第25-26页 |
| 2.2 分析方法 | 第26-27页 |
| 2.2.1 光电响应测试和Cd(Ⅱ)离子释放测试 | 第26页 |
| 2.2.2 光催化实验 | 第26-27页 |
| 2.3 材料表征方法 | 第27-28页 |
| 3 石墨烯/CdS光电效应和抗光腐蚀性能研究 | 第28-41页 |
| 3.1 前言 | 第28页 |
| 3.2 试验方法 | 第28-29页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第29-39页 |
| 3.3.1 电子显微镜 | 第29-30页 |
| 3.3.2 XRD分析 | 第30-31页 |
| 3.3.3 傅里叶红外光谱分析 | 第31-32页 |
| 3.3.4 石墨烯/CdS/FTO玻璃复合电极光电响应测试 | 第32-33页 |
| 3.3.5 石墨烯/CdS/FTO玻璃复合电极的稳定性测试 | 第33-35页 |
| 3.3.6 石墨烯/CdS/FTO玻璃复合电极的Cd(Ⅱ)溶出测试 | 第35-38页 |
| 3.3.7 石墨烯/CdS/FTO玻璃复合电极光电效应机理分析 | 第38-39页 |
| 3.4 小结 | 第39-41页 |
| 4 石墨烯对BiVO_4/CdS复合光电材料的改性 | 第41-50页 |
| 4.1 前言 | 第41-42页 |
| 4.2 试验方法 | 第42-43页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第43-47页 |
| 4.3.1 r-GO表面修饰CdS对BC电极的影响 | 第43-44页 |
| 4.3.2 CdS掺杂r-GO对BC电极的影响 | 第44-45页 |
| 4.3.3 r-GO修饰BiVO_4对CB电极的影响 | 第45-46页 |
| 4.3.4 CdS掺杂r-GO浓度对CB电极的影响 | 第46-47页 |
| 4.4 BC结构和CB结构电极光电响应机理 | 第47-49页 |
| 4.4.1 石墨烯改性BC结构电极光电响应机理 | 第47-48页 |
| 4.4.2 石墨烯改性CB结构电极光电响应机理 | 第48-49页 |
| 4.5 总结 | 第49-50页 |
| 5 石墨烯对BiVO_4/CdS光催化活性的影响研究 | 第50-57页 |
| 5.1 前言 | 第50页 |
| 5.2 试验方法 | 第50-51页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第51-56页 |
| 5.3.1 电子显微镜 | 第51-52页 |
| 5.3.2 XRD分析 | 第52-53页 |
| 5.3.3 光催化活性研究 | 第53-55页 |
| 5.3.4 光催化活性机理探讨 | 第55-56页 |
| 5.4 总结 | 第56-57页 |
| 6 结论与展望 | 第57-59页 |
| 6.1 CdS表面修饰石墨烯光电性能研究结论 | 第57页 |
| 6.2 石墨烯对CdS/BiVO_4复合光电材料的改性研究结论 | 第57-58页 |
| 6.3 石墨烯修饰CdS光催化剂的制备及其光催化活性研究结论 | 第58页 |
| 6.4 不足和展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-71页 |
| 作者在读期间发表的论文 | 第71页 |
