磁场增强高功率脉冲磁控溅射放电特性及TiAlN薄膜制备研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 高功率脉冲磁控溅射技术 | 第10-14页 |
| 1.2.1 磁控溅射技术 | 第10-12页 |
| 1.2.2 高功率脉冲磁控溅射技术的发展 | 第12-13页 |
| 1.2.3 预离化的高功率脉冲磁控溅射技术 | 第13-14页 |
| 1.3 TiAlN薄膜及其制备技术 | 第14-18页 |
| 1.3.1 TiAlN薄膜的研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3.2 TiAlN薄膜的制备方法 | 第16-18页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第18-19页 |
| 第2章 试验设备与方法 | 第19-25页 |
| 2.1 试验设备 | 第19-20页 |
| 2.2 试验方法 | 第20-23页 |
| 2.2.1 试验材料 | 第20页 |
| 2.2.2 试验工艺 | 第20-23页 |
| 2.3 分析测试方法 | 第23-25页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜分析 | 第23页 |
| 2.3.2 原子力显微镜分析 | 第23页 |
| 2.3.3 X射线衍射分析 | 第23页 |
| 2.3.4 纳米硬度测试 | 第23-24页 |
| 2.3.5 膜基结合力测试 | 第24页 |
| 2.3.6 摩擦磨损性能测试 | 第24-25页 |
| 第3章 TiAl靶磁场增强HIPIMS放电特性 | 第25-36页 |
| 3.1 线圈电流对放电特性的影响 | 第25-26页 |
| 3.2 工作气压对放电特性的影响 | 第26-28页 |
| 3.3 放电电压对放电特性的影响 | 第28-30页 |
| 3.4 复合直流对放电特性的影响 | 第30-31页 |
| 3.5 氮氩流量比对放电特性的影响 | 第31-34页 |
| 3.6 基体负偏压对放电特性的影响 | 第34页 |
| 3.7 本章小结 | 第34-36页 |
| 第4章 磁场增强的TiAlN薄膜制备及微观结构 | 第36-54页 |
| 4.1 TiAlN薄膜沉积工艺探索 | 第36-39页 |
| 4.2 TiAlN薄膜形貌分析 | 第39-46页 |
| 4.2.1 膜层表面形貌 | 第39-43页 |
| 4.2.2 膜层截面形貌 | 第43-46页 |
| 4.3 TiAlN薄膜成分分析 | 第46-49页 |
| 4.4 XRD相结构 | 第49-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 磁场增强的TiAlN薄膜性能研究 | 第54-68页 |
| 5.1 TiAlN薄膜硬度 | 第54-57页 |
| 5.2 摩擦磨损性能分析 | 第57-61页 |
| 5.3 膜基结合力分析 | 第61-66页 |
| 5.3.1 线圈电流对膜基结合力的影响 | 第62-64页 |
| 5.3.2 脉冲电流对膜基结合力的影响 | 第64-65页 |
| 5.3.3 氩氮流量比对膜基结合力的影响 | 第65-66页 |
| 5.3.4 工作气压对膜基结合力的影响 | 第66页 |
| 5.4 本章小结 | 第66-68页 |
| 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
