| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 有机配体对半导体纳米晶合成的影响 | 第11-14页 |
| 1.2.1 有机相半导体纳米晶的合成 | 第11-13页 |
| 1.2.2 配体在有机相纳米晶合成中的作用 | 第13-14页 |
| 1.3 半导体纳米晶的表面配体设计 | 第14-18页 |
| 1.3.1 长烃链有机配体的除去以及与小分子间的交换 | 第15-17页 |
| 1.3.2 交联表面配体 | 第17页 |
| 1.3.3 金属硫化物表面配体 | 第17-18页 |
| 1.4 半导体纳米晶的应用 | 第18-20页 |
| 1.4.1 发光器件 | 第18-19页 |
| 1.4.2 太阳能电池 | 第19页 |
| 1.4.3 光电探测器 | 第19-20页 |
| 1.4.4 场效应晶体管 | 第20页 |
| 1.5 本论文选题依据与研究思路 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-26页 |
| 第二章 有机配体对 PbSe 和 PbTe 半导体纳米晶形貌与自组装性能的影响 | 第26-38页 |
| 2.1 引言 | 第26-27页 |
| 2.2 实验部分 | 第27-28页 |
| 2.2.1 试剂与仪器 | 第27页 |
| 2.2.2 合成乙酰丙酮铅(Pb(acac)_2) | 第27页 |
| 2.2.3 Se 前驱体溶液的制备 | 第27页 |
| 2.2.4 Te 前驱体溶液的制备 | 第27页 |
| 2.2.5 合成不同形貌的 PbE（E=Se, Te）纳米晶 | 第27-28页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第28-34页 |
| 2.3.1 PbSe 和 PbTe 纳米晶的合成过程 | 第28-29页 |
| 2.3.2 PbSe 和 PbTe 纳米晶的形貌表征及形貌控制机理 | 第29-32页 |
| 2.3.3 PbSe 和 PbTe 纳米晶的自组装 | 第32-34页 |
| 2.4 实验结论 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-38页 |
| 第三章 金属硫化物配体对 CuInS_2纳米晶光电性能的影响研究 | 第38-54页 |
| 3.1 引言 | 第38-39页 |
| 3.2 实验部分 | 第39-41页 |
| 3.2.1 试剂与仪器 | 第39页 |
| 3.2.2 合成有机配体包覆的 CuInS_2纳米晶 | 第39-40页 |
| 3.2.3 合成 SnS2 | 第40页 |
| 3.2.4 合成无机配体 Na_4SnS_4 | 第40页 |
| 3.2.5 合成无机配体(NH_4)4Sn_2S_6 | 第40页 |
| 3.2.6 利用 Na_4SnS_4无机配机包覆 CIS 纳米晶 | 第40页 |
| 3.2.7 利用(NH_4)4Sn_2S_6无机配体包覆 CIS 纳米晶 | 第40-41页 |
| 3.2.8 制备配体转移前后 CIS 纳米晶薄膜 | 第41页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第41-51页 |
| 3.3.1 CIS 纳米晶配体（Na_4SnS_4）交换前后组成与结构表征 | 第41-42页 |
| 3.3.2 CIS 纳米晶配体（（NH_4)4Sn_2S_6）交换前后组成与结构表征 | 第42-48页 |
| 3.3.3 利用（NH_4)_4Sn_2S_6实现配体交换后 CIS 纳米晶的稳定性 | 第48-49页 |
| 3.3.4 CIS 纳米晶配体（（NH_4)_4Sn_2S_6）交换前后的光学性能与电荷传输性能表征 | 第49-51页 |
| 3.4 实验结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 总结与展望 | 第54-56页 |
| 攻读学位期间发表及完成的学术论文 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
