| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 CIS 薄膜太阳能电池的发展历程 | 第12-13页 |
| 1.3 CuInS_2的结构特征 | 第13-15页 |
| 1.4 CuInS_2的制备方法 | 第15-18页 |
| 1.4.1 电沉积法 | 第15-16页 |
| 1.4.2 蒸发法 | 第16页 |
| 1.4.3 溅射法 | 第16页 |
| 1.4.4 喷雾热解法 | 第16-17页 |
| 1.4.5 连续离子层反应法 | 第17页 |
| 1.4.6 溶剂热法 | 第17-18页 |
| 1.4.7 化学浴沉积法 | 第18页 |
| 1.4.8 微波法 | 第18页 |
| 1.4.9 墨水法 | 第18页 |
| 1.5 低温下制备 CuInS_2 | 第18-19页 |
| 1.6 铜片原位生长法制备 CuInS_2(CISCuT) | 第19-20页 |
| 1.7 目前存在的主要问题 | 第20页 |
| 1.8 本论文研究的目的、思路和内容 | 第20-22页 |
| 1.8.1 论文的研究目的和思路 | 第20-21页 |
| 1.8.2 论文的主要内容 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-28页 |
| 第二章 常温制备 CuIn_5S_8薄膜 | 第28-44页 |
| 2.1 实验部分 | 第29-30页 |
| 2.1.1 仪器和试剂 | 第29页 |
| 2.1.2 基底处理 | 第29页 |
| 2.1.3 实验过程 | 第29页 |
| 2.1.4 薄膜的退火处理 | 第29-30页 |
| 2.2 实验结果与讨论 | 第30-39页 |
| 2.3 本章小结 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-44页 |
| 第三章 常温合成 CuInS_2薄膜 | 第44-56页 |
| 3.1 实验部分 | 第44-45页 |
| 3.1.1 基底处理 | 第44-45页 |
| 3.1.2 常温实验过程 | 第45页 |
| 3.1.3 薄膜的退火处理 | 第45页 |
| 3.1.4 仪器和试剂 | 第45页 |
| 3.2 实验结果与讨论 | 第45-52页 |
| 3.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 第四章 常温下铜铟硫材料的合成机制及 BSA 的引入对产物形貌的调控作用 | 第56-72页 |
| 4.1 CuInS_2和 CuIn_5S_8薄膜生长机制的研究 | 第57-61页 |
| 4.1.1 实验部分 | 第57页 |
| 4.1.2 实验结果与讨论 | 第57-61页 |
| 4.2 加入 BSA 后 CuInS_2和 CuIn_5S_8生长机制的研究 | 第61-65页 |
| 4.2.1 实验部分 | 第61-62页 |
| 4.2.2 实验结果与讨论 | 第62-65页 |
| 4.3 TEM 取样研究机理 | 第65-69页 |
| 4.3.1 实验部分 | 第65页 |
| 4.3.2 实验结果与讨论 | 第65-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 攻读硕士学位期间科研成果 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
