| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 a-Si:H薄膜研究背景 | 第11-17页 |
| 1.2.1 非晶硅薄膜结构和性质 | 第11-12页 |
| 1.2.2 非晶硅薄膜的制备方法 | 第12-13页 |
| 1.2.3 非晶硅薄膜测试手段 | 第13-16页 |
| 1.2.4 a-Si:H 薄膜的研究现状 | 第16页 |
| 1.2.5 a-Si:H 薄膜的应用 | 第16-17页 |
| 1.3 第一性原理的应用 | 第17-18页 |
| 1.4 本文研究意义 | 第18-19页 |
| 1.5 本文内容安排 | 第19-20页 |
| 第二章 第一性原理理论简介 | 第20-29页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第20-23页 |
| 2.1.1 薛定谔方程及其近似 | 第20-21页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理：多体理论 | 第21页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第21-23页 |
| 2.2 交换关联泛函 | 第23-25页 |
| 2.2.1 局域密度近似 | 第23-24页 |
| 2.2.2 广义梯度近似 | 第24-25页 |
| 2.2.3 杂化密度泛函近似 | 第25页 |
| 2.3 基组 | 第25页 |
| 2.4 赝势方法 | 第25-27页 |
| 2.5 密度泛函计算过程 | 第27-28页 |
| 2.6 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 纯硅非晶态结构模型的建立及优化 | 第29-44页 |
| 3.1 晶体硅模型建立及优化 | 第29-32页 |
| 3.2 晶体硅慢速冷却非晶化 | 第32-34页 |
| 3.3 冷却模型Dmol3优化 | 第34-36页 |
| 3.4 密度对模型结构和性质的影响 | 第36-43页 |
| 3.4.1 密度对模型径向分布函数的影响 | 第36-38页 |
| 3.4.2 密度对模型的缺陷以及配位数的影响 | 第38-40页 |
| 3.4.3 密度对模型的键角分布函数的影响 | 第40-41页 |
| 3.4.5 密度对模型的能态密度的影响 | 第41-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 红外特性实验研究 | 第44-62页 |
| 4.1 a-Si:H 硅薄膜键合模式介绍 | 第44-45页 |
| 4.2 a-Si:H 薄膜的制备 | 第45-48页 |
| 4.3 薄膜测试与红外特性分析 | 第48-61页 |
| 4.3.1 压强对薄膜厚度及其均匀性的影响 | 第48-51页 |
| 4.3.2 压强对薄膜折射率和消光系数的影响 | 第51-52页 |
| 4.3.3 压强对傅里叶红外光谱的影响 | 第52-60页 |
| 4.3.4 薄膜氢含量分析 | 第60-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 掺氢模型及红外特性分析 | 第62-78页 |
| 5.1 冷却模型氢原子添加 | 第62-64页 |
| 5.2 氢含量对模型结构和性质的影响 | 第64-69页 |
| 5.2.1 氢含量对径向分布函数的影响 | 第64-66页 |
| 5.2.2 氢含量对模型缺陷数量的影响 | 第66-67页 |
| 5.2.3 氢含量对模型键角分布的影响 | 第67-68页 |
| 5.2.4 氢含量对模型能态密度的影响 | 第68-69页 |
| 5.3 氢化非晶硅模型红外特性分析 | 第69-77页 |
| 5.3.1 红外波段光吸收系数分析 | 第69-73页 |
| 5.3.2 红外波段折射率分析 | 第73-75页 |
| 5.3.3 红外波段消光系数分析 | 第75-77页 |
| 5.4 本章小结 | 第77-78页 |
| 第六章 总结 | 第78-80页 |
| 6.1 本文完成的工作 | 第78-79页 |
| 6.2 本文展望 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 攻硕期间研究成果 | 第85-86页 |