| 中文摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 谷结构材料 | 第9-15页 |
| 1.2.1 常规半导体中的谷结构 | 第9-10页 |
| 1.2.2 二维新型材料中的谷结构 | 第10-13页 |
| 1.2.3 石墨烯纳米带中的谷结构 | 第13-15页 |
| 1.3 材料中的谷物理 | 第15-19页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第19-20页 |
| 第二章 涉及到的相关概念 | 第20-27页 |
| 2.1 紧束缚近似 | 第20-22页 |
| 2.2 石墨烯能带计算 | 第22-24页 |
| 2.3 石墨烯格点模型到狄拉克方程的转化 | 第24-27页 |
| 第三章 一维PN结的界面性质输运 | 第27-40页 |
| 3.1 理论模型 | 第27-31页 |
| 3.2 数值结果与讨论 | 第31-38页 |
| 3.3 结论 | 第38-40页 |
| 第四章 总结与展望 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-49页 |
| 附录 单谷模型的透射和反射情况 | 第49-50页 |
| 攻读硕士学位期间公开发表的论文及科研成果 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |