中文摘要 | 第9-12页 |
ABSTRACT | 第12-14页 |
第一章 绪论 | 第15-31页 |
1.1 前言 | 第15-17页 |
1.2 激光自倍频晶体的发展现状 | 第17-19页 |
1.3 硅酸镓镧系列晶体在光学领域的研究概况 | 第19-21页 |
1.4 本论文的研究思路、内容和方法 | 第21-23页 |
参考文献 | 第23-31页 |
第二章 A_3TaGa_3Si_2O_(14)(A=Ca,Sr)和掺钕A_3TaGa_3Si_2O_(14)晶体的生长 | 第31-49页 |
2.1 引言 | 第31-32页 |
2.2 晶体生长方法 | 第32-33页 |
2.3 晶体生长工艺 | 第33-42页 |
2.3.1 掺钕A_3TaGa_3Si_2O_(14)(A=Ca,Sr)晶体的设计 | 第33-36页 |
2.3.2 多晶原料的合成 | 第36-37页 |
2.3.3 单晶生长过程 | 第37-39页 |
2.3.4 提拉法生长晶体的传热方式 | 第39-41页 |
2.3.5 晶体最佳生长方向 | 第41-42页 |
2.4 晶体的缺陷研究 | 第42-46页 |
2.4.1 粘度对A_3TaGa_3Si_2O_(14)(A=Ca,Sr)晶体生长的影响 | 第42-43页 |
2.4.2 晶体的开裂 | 第43-45页 |
2.4.3 色心 | 第45-46页 |
2.5 本章小结 | 第46-47页 |
参考文献 | 第47-49页 |
第三章 A_3TaGa_3Si_2O_(14)(A=Ca,Sr)和掺钕A_3TaGa_3Si_2O_(14)晶体的结构与光学性质表征 | 第49-61页 |
3.1 晶体X-Ray粉末衍射 | 第49-51页 |
3.2 高分辨X射线衍射 | 第51-52页 |
3.3 X射线荧光光谱 | 第52-53页 |
3.4 晶体透过光谱 | 第53-54页 |
3.5 晶体荧光光谱 | 第54-56页 |
3.6 晶体折射率 | 第56-58页 |
3.7 本章小结 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-61页 |
第四章 Ca_3TaGa_3Si_2O_(14)和Sr_3TaGa_3Si_2O_(14)晶体倍频性质研究 | 第61-75页 |
4.1 引言 | 第61页 |
4.2 晶体光学分类 | 第61-63页 |
4.3 晶体相位匹配 | 第63-67页 |
4.3.1 相位匹配条件 | 第63-64页 |
4.3.2 单轴晶体的角度相位匹配 | 第64-66页 |
4.3.3 单轴晶体相位匹配角的计算 | 第66-67页 |
4.3.4 相位匹配角的计算 | 第67页 |
4.4 A_3TaGa_3Si_2O_(14)(A=Ca,Sr)晶体的倍频性质研究 | 第67-73页 |
4.4.1 A_3TaGa_3Si_2O_(14)(A=Ca,Sr)晶体倍频切型的设计 | 第67-68页 |
4.4.2 A_3TaGa_3Si_2O_(14)(A=Ca,Sr)晶体的倍频实验 | 第68-71页 |
4.4.3 A_3TaGa_3Si_2O_(14)(A=Ca,Sr)晶体非线性光学参数的确定 | 第71-73页 |
4.5 本章小结 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-75页 |
第五章 Nd:Ca_3TaGa_3Si_2O_(14)和Nd:Sr_3TaGa_3Si_2O_(14)晶体激光自倍频性质研究 | 第75-83页 |
5.1 引言 | 第75页 |
5.2 Nd:A_3TaGa_3Si_2O_(14)(A=Ca,Sr)晶体的激光自倍频效应 | 第75-78页 |
5.3 Nd:Ca_3TaGa_3Si_2O_(14)镀膜晶体激光自倍频效应 | 第78-79页 |
5.4 本章小结 | 第79-81页 |
参考文献 | 第81-83页 |
第六章 总结与展望 | 第83-87页 |
6.1 主要工作内容 | 第83-84页 |
6.2 主要创新点 | 第84-85页 |
6.3 有待继续开展的工作 | 第85-87页 |
致谢 | 第87-89页 |
攻读硕士学位期间获得的奖励 | 第89-91页 |
攻读学位期间发表的学术论文和参加科研情况 | 第91-93页 |
附件 | 第93-107页 |