| 致谢 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 变量注释表 | 第17-18页 |
| 1 绪论 | 第18-36页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第18-19页 |
| 1.2 SiC一维纳米材料研究进展 | 第19-28页 |
| 1.3 低维纳米材料压阻特性研究进展 | 第28-34页 |
| 1.4 本论文主要研究内容 | 第34-36页 |
| 2 实验方案及分析方法 | 第36-40页 |
| 2.1 实验原料及设备 | 第36-37页 |
| 2.2 实验方案 | 第37-38页 |
| 2.3 表征与分析方法 | 第38-40页 |
| 3 B掺杂SiC纳米线的制备及其压阻特性 | 第40-49页 |
| 3.1 前言 | 第40页 |
| 3.2 实验方案 | 第40-41页 |
| 3.3 B掺杂SiC纳米线形貌及结构表征 | 第41-43页 |
| 3.4 B掺杂SiC纳米线压阻特性检测及分析 | 第43-47页 |
| 3.5 小结 | 第47-49页 |
| 4 B掺杂SiC纳米带的制备及其压阻特性 | 第49-59页 |
| 4.1 前言 | 第49-50页 |
| 4.2 实验方案 | 第50页 |
| 4.3 B掺杂SiC纳米带形貌及结构表征 | 第50-54页 |
| 4.4 B掺杂SiC纳米带压阻特性检测及分析 | 第54-57页 |
| 4.5 小结 | 第57-59页 |
| 5 紫外光激发对SiC纳米线压阻特性的影响 | 第59-69页 |
| 5.1 前言 | 第59-60页 |
| 5.2 实验方案 | 第60页 |
| 5.3 N掺杂SiC纳米线形貌及结构表征 | 第60-63页 |
| 5.4 紫外光激发对N掺杂SiC纳米线压阻特性影响检测及分析 | 第63-67页 |
| 5.5 小结 | 第67-69页 |
| 6 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-80页 |
| 作者简历 | 第80-82页 |
| 学位论文数据集 | 第82页 |