| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-7页 |
| 第1章 引言 | 第11-28页 |
| 1.1 LED简介 | 第11-12页 |
| 1.2 LED的发展历史 | 第12-14页 |
| 1.3 GaN基LED的发展方向 | 第14-16页 |
| 1.3.1 提高发光效率 | 第14-16页 |
| 1.3.2 降低制造成本 | 第16页 |
| 1.4 硅衬底GaN基LED介绍 | 第16-22页 |
| 1.4.1 优势 | 第17页 |
| 1.4.2 难点 | 第17-18页 |
| 1.4.3 发展历程 | 第18-20页 |
| 1.4.4 芯片结构 | 第20-22页 |
| 1.5 大功率LED芯片的发展历史 | 第22-26页 |
| 1.5.1 倒装芯片 | 第23-24页 |
| 1.5.2 薄膜芯片 | 第24-26页 |
| 1.5.3 硅衬底GaN基大功率LED发展方向 | 第26页 |
| 1.6 本论文的工作安排 | 第26-28页 |
| 第2章 硅衬底通孔薄膜LED芯片的制备 | 第28-42页 |
| 2.1 硅衬底通孔薄膜LED的工艺流程 | 第28-31页 |
| 2.1.1 硅衬底GaN外延结构 | 第28-29页 |
| 2.1.2 芯片制备流程 | 第29-31页 |
| 2.2 Ni-Sn晶圆键合 | 第31-36页 |
| 2.2.1 引言 | 第31页 |
| 2.2.2 Ni-Sn瞬态液相扩散键合 | 第31-34页 |
| 2.2.3 结果与讨论 | 第34-36页 |
| 2.2.4 小结 | 第36页 |
| 2.3 AlGaN厚度对N极性GaN表面粗化研究 | 第36-42页 |
| 2.3.1 引言 | 第36-37页 |
| 2.3.2 实验 | 第37-38页 |
| 2.3.3 结果与讨论 | 第38-41页 |
| 2.3.4 小结 | 第41-42页 |
| 第3章 硅衬底GaN基LED p面工艺研究 | 第42-60页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 静电放电ESD简介 | 第42-45页 |
| 3.3 覆盖Pt做Mg激活对LED特性的影响 | 第45-50页 |
| 3.3.1 引言 | 第45页 |
| 3.3.2 实验 | 第45-46页 |
| 3.3.3 结果与讨论 | 第46-49页 |
| 3.3.4 小结 | 第49-50页 |
| 3.4 Mg激活条件对LED特性的影响 | 第50-55页 |
| 3.4.1 引言 | 第50页 |
| 3.4.2 实验 | 第50-51页 |
| 3.4.3 结果与讨论 | 第51-54页 |
| 3.4.4 小结 | 第54-55页 |
| 3.5 Ni/Ag反射镜中Ni的厚度对LED特性的影响 | 第55-60页 |
| 3.5.1 引言 | 第55页 |
| 3.5.2 实验 | 第55-56页 |
| 3.5.3 结果与讨论 | 第56-59页 |
| 3.5.4 结论 | 第59-60页 |
| 第4章 等离子体表面处理对硅衬底GaN基LED内置n型欧姆接触的影响 | 第60-70页 |
| 4.1 引言 | 第60-61页 |
| 4.2 实验 | 第61-63页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第63-68页 |
| 4.4 结论 | 第68-70页 |
| 第5章 优化设计提高通孔薄膜LED的性能 | 第70-79页 |
| 5.1 引言 | 第70-71页 |
| 5.2 实验 | 第71-74页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第74-78页 |
| 5.4 本章小结 | 第78-79页 |
| 第6章 通孔薄膜LED的老化研究 | 第79-85页 |
| 6.1 引言 | 第79-80页 |
| 6.2 通孔薄膜LED的老化研究 | 第80-84页 |
| 6.3 本章小结 | 第84-85页 |
| 第7章 结论与展望 | 第85-88页 |
| 7.1 结论 | 第85-87页 |
| 7.2 进一步工作的方向 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-98页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第98页 |