| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-33页 |
| ·传统的Flash存储器 | 第11-13页 |
| ·新型的存储器 | 第13-20页 |
| ·铁电存储器 | 第13-14页 |
| ·磁阻式存储器 | 第14-15页 |
| ·相变存储器 | 第15-16页 |
| ·阻变式存储器 | 第16-20页 |
| ·选题意义及研究内容 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-33页 |
| 第二章 基于ITO底电极的ZnO-RRAM器件的研制 | 第33-47页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·实验 | 第33-35页 |
| ·结果和讨论 | 第35-43页 |
| ·ZnO薄膜特性分析 | 第35-38页 |
| ·常温衬底下Ag/ZnO/ITO结构器件的制备和特性研究 | 第38-39页 |
| ·衬底温度对Ag/ZnO/ITO结构器件开关特性的影响 | 第39-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-47页 |
| 第三章 基于Pt底电极的ZnO-RRAM器件的研制 | 第47-77页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·阻变机理 | 第47-48页 |
| ·衬底常温下磁控反应溅射制备ZnO-RRAM | 第48-63页 |
| ·Ag/ZnO/Pt结构RRAM器件开关特性的研究 | 第48-53页 |
| ·缓冲层厚度对Ag/ZnO/Zn/Pt结构器件开关特性的影响 | 第53-57页 |
| ·退火温度对Ag/ZnO/Zn/Pt结构器件天关特性的影响 | 第57-63页 |
| ·衬底加温下磁控反应溅射制备ZnO-RRAM | 第63-72页 |
| ·衬底温度对Ag/ZnO/Zn/Pt结构器件开关特性的影响 | 第63-70页 |
| ·电极尺寸对Ag/ZnO/Zn/Pt结构器件天关特性的影响 | 第70-72页 |
| ·本章小结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 第四章 基于Pt底电极的GZO-RRAM器件的研制 | 第77-99页 |
| ·引言 | 第77-78页 |
| ·衬底常温下磁控反应溅射制备GZO-RRAM | 第78-91页 |
| ·退火温度对Ag/GZO/ZnO/Pt结构器件开关特性的影响 | 第82-86页 |
| ·缓冲层厚度对Ag/GZO/ZnO/Pt结构器件开关特性的影响 | 第86-91页 |
| ·衬底加温下不同沉积温度对GZO-RRAM开关性能的影响 | 第91-95页 |
| ·实验 | 第92页 |
| ·结果和讨论 | 第92-95页 |
| ·本章小结 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-99页 |
| 第五章 结论 | 第99-101页 |
| 作者简历 | 第101-105页 |
| 学位论文数据集 | 第105页 |
