| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 氮化硅晶体的结构 | 第10-12页 |
| 1.3 氮化硅粉体 | 第12-15页 |
| 1.3.1 氮化硅粉体制备方法 | 第12-14页 |
| 1.3.2 粉体对陶瓷烧结的影响 | 第14-15页 |
| 1.4 氮化硅陶瓷 | 第15-23页 |
| 1.4.1 氮化硅陶瓷的性能 | 第15-16页 |
| 1.4.2 氮化硅陶瓷烧结技术 | 第16-19页 |
| 1.4.3 氮化硅陶瓷烧结助剂 | 第19-21页 |
| 1.4.4 陶瓷微观结构对透明性的影响 | 第21-23页 |
| 1.5 选题意义与研究内容 | 第23-24页 |
| 第2章 实验方案与分析方法 | 第24-32页 |
| 2.1 实验原料 | 第24-25页 |
| 2.2 实验方案 | 第25-29页 |
| 2.2.1 氮化硅粉体制备 | 第25-27页 |
| 2.2.2 SPS烧结氮化硅半透明陶瓷 | 第27-29页 |
| 2.3 材料结构表征 | 第29-31页 |
| 2.3.1 致密度 | 第29-30页 |
| 2.3.2 X射线衍射分析 | 第30页 |
| 2.3.3 扫描电镜分析 | 第30页 |
| 2.3.4 透射电镜分析 | 第30-31页 |
| 2.4 材料性能测试 | 第31-32页 |
| 2.4.1 硬度测试 | 第31页 |
| 2.4.2 光学性能测试 | 第31-32页 |
| 第3章 Si_3N_4粉体制备的工艺研究 | 第32-48页 |
| 3.1 碳热还原生成Si_3N_4反应理论分析 | 第32-34页 |
| 3.2 碳热还原制备Si_3N_4粉体的影响因素 | 第34-38页 |
| 3.2.1 反应温度对Si_3N_4粉体制备的影响 | 第34-35页 |
| 3.2.2 氮气流量对Si_3N_4粉体制备的影响 | 第35-37页 |
| 3.2.3 碳硅比对Si_3N_4粉体制备的影响 | 第37-38页 |
| 3.3 自蔓延反应制备Si_3N_4粉体的研究 | 第38-46页 |
| 3.3.1 复合添加剂对自蔓延烧结的影响 | 第39-42页 |
| 3.3.2 氮气压力的影响 | 第42-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 第4章 Si_3N_4半透明块体制备工艺研究 | 第48-65页 |
| 4.1 烧结助剂用量对Si_3N_4制备的影响 | 第48-53页 |
| 4.1.1 烧结助剂用量对相组成的影响 | 第48-51页 |
| 4.1.2 烧结助剂用量对光学性能的影响 | 第51-53页 |
| 4.2 烧结温度对Si_3N_4制备的影响 | 第53-56页 |
| 4.2.1 烧结温度对相组成的影响 | 第53-55页 |
| 4.2.2 烧结温度对光学性能的影响 | 第55-56页 |
| 4.3 烧结助剂种类对Si_3N_4制备的影响 | 第56-59页 |
| 4.3.1 烧结种类对相组成的影响 | 第56-58页 |
| 4.3.2 烧结助剂种类对光学性能的影响 | 第58-59页 |
| 4.4 α/β 相组成与性能的关系 | 第59-64页 |
| 4.4.1 α/β 晶体形貌 | 第59-62页 |
| 4.4.2 α/β 相组成与透明性的关系 | 第62-63页 |
| 4.4.3 α/β 相组成与致密度的关系 | 第63-64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 致谢 | 第71页 |