| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 高品质 CVD 金刚石膜的发展 | 第11-13页 |
| 1.3 MPCVD 装置的发展 | 第13-30页 |
| 1.3.1 石英管式 MPCVD 装置 | 第15-17页 |
| 1.3.2 石英钟式 MPCVD 装置 | 第17-23页 |
| 1.3.3 平板石英窗式 MPCVD 装置 | 第23-24页 |
| 1.3.4 石英环式 MPCVD 装置 | 第24-30页 |
| 第二章 数值模拟和表征方法 | 第30-36页 |
| 2.1 数值模拟软件的介绍 | 第30-33页 |
| 2.1.1 COMSOL Multiphysics | 第30-31页 |
| 2.1.2 Ansoft HFSS | 第31-33页 |
| 2.2 金刚石的表征方法 | 第33-34页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第33页 |
| 2.2.2 激光 Raman 光谱 | 第33-34页 |
| 2.2.3 傅里叶红外光谱(FTIR) | 第34页 |
| 2.3 本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 TYUT 型 MPCVD 装置及其数值模拟 | 第36-58页 |
| 3.1 新型 MPCVD 装置模型的提出 | 第36-37页 |
| 3.2 装置电场的模拟优化 | 第37-41页 |
| 3.2.1 电场边界条件的设置及装置的基本尺寸 | 第37-38页 |
| 3.2.2 天线凸台高度对电场的影响 | 第38-40页 |
| 3.2.3 锥形反射体锥度对电场的影响 | 第40-41页 |
| 3.3 最优尺寸时装置内电场的分布 | 第41-43页 |
| 3.4 装置等离子体的模拟 | 第43-44页 |
| 3.5 装置失谐与调谐性能研究 | 第44-56页 |
| 3.5.1 频率变化对装置内电场和等离子体的影响 | 第45-47页 |
| 3.5.2 谐振腔尺寸偏差电场和等离子体的影响 | 第47-49页 |
| 3.5.3 基片尺寸对装置电场和等离子体的影响 | 第49-51页 |
| 3.5.4 装置对输入频率变化的调谐 | 第51-53页 |
| 3.5.5 装置对腔体尺寸变化的调谐 | 第53-55页 |
| 3.5.6 装置对基片高度变化的调谐 | 第55-56页 |
| 3.6 本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 TYUT 型 MPCVD 装置的建立与高品质金刚石膜的快速沉积 | 第58-68页 |
| 4.1 TYUT 型 MPCVD 装置的建立与性能测试 | 第58-61页 |
| 4.2 高品质金刚石膜的快速沉积 | 第61-65页 |
| 4.2.1 直径 40 mm 金刚石膜的快速沉积 | 第61-63页 |
| 4.2.2 直径为 65 mm 的大面积高品质金刚石膜的沉积 | 第63-65页 |
| 4.3 本章小结 | 第65-68页 |
| 第五章 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
