| 内容提要 | 第4-5页 |
| 中文摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 半导体理论计算的意义 | 第11-12页 |
| 1.2 研究背景和困难 | 第12-14页 |
| 1.2.1 点缺陷和掺杂在固体中的作用 | 第12-13页 |
| 1.2.2 ZnO 的高压相图 | 第13-14页 |
| 1.3 ZnO 掺杂的困难及其现状 | 第14-17页 |
| 1.3.1 本征缺陷 | 第14-15页 |
| 1.3.2 n 型掺杂 ZnO | 第15-16页 |
| 1.3.3 p 型掺杂 ZnO | 第16-17页 |
| 1.4 本论文选题的目的和意义 | 第17-19页 |
| 第二章 理论计算方法 | 第19-35页 |
| 2.1 密度泛理论 | 第19-27页 |
| 2.1.1 Born-Oppenheimer 近似 | 第19-20页 |
| 2.1.2 Hartree-Fock 近似 | 第20-21页 |
| 2.1.3 Hohenberg-Kohn 定理 | 第21-23页 |
| 2.1.4 交换关联函数 | 第23-25页 |
| 2.1.5 自洽计算 | 第25-27页 |
| 2.2 第一性原理的计算方法 | 第27-29页 |
| 2.3 缺陷计算 | 第29-35页 |
| 2.3.1 缺陷的研究 | 第29-30页 |
| 2.3.2 缺陷计算的方法 | 第30-31页 |
| 2.3.3 超胞方法的优势 | 第31-32页 |
| 2.3.4 超胞方法的问题 | 第32-33页 |
| 2.3.5 锁胞方法 | 第33-35页 |
| 第三章 N 与 In 和 N 与 Mg 共掺杂的研究 | 第35-53页 |
| 3.1 背景介绍 | 第35-36页 |
| 3.2 计算细节 | 第36-37页 |
| 3.2.1 形成焓 | 第36-37页 |
| 3.2.2 离化能 | 第37页 |
| 3.2.3 束缚能 | 第37页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第37-52页 |
| 3.3.1 优化化学势 | 第37-39页 |
| 3.3.2 单掺杂 | 第39-43页 |
| 3.3.3 N 和 In 的共掺杂 | 第43-49页 |
| 3.3.4 N 和 Mg 的共掺杂 | 第49-52页 |
| 3.4 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-62页 |
| 致谢 | 第62页 |