致谢 | 第5-8页 |
摘要 | 第8-10页 |
Abstract | 第10-11页 |
第一章 绪论 | 第15-36页 |
1.1 碳化硅材料 | 第15-17页 |
1.1.1 碳化硅材料的特性 | 第15-17页 |
1.1.2 碳化硅材料的发展 | 第17页 |
1.2 碳化硅二极管的工艺技术 | 第17-27页 |
1.2.1 刻蚀 | 第17-19页 |
1.2.2 离子注入 | 第19-20页 |
1.2.3 热氧化 | 第20-21页 |
1.2.4 欧姆接触 | 第21-23页 |
1.2.5 肖特基接触 | 第23-27页 |
1.3 碳化硅二极管的应用 | 第27-28页 |
1.4 碳化硅二极管的研究和发展 | 第28-33页 |
1.4.1 碳化硅肖特基二极管 | 第28-29页 |
1.4.2 碳化硅新型结构肖特基二极管 | 第29-30页 |
1.4.3 碳化硅PN结二极管 | 第30-31页 |
1.4.4 衬底减薄技术 | 第31页 |
1.4.5 终端技术 | 第31-33页 |
1.5 本文的选题意义及主要研究内容 | 第33-36页 |
1.5.1 本文的选题意义 | 第33-34页 |
1.5.2 本文的主要研究内容 | 第34-36页 |
第二章 碳化硅结势垒肖特基二极管的结构设计和仿真研究 | 第36-73页 |
2.1 外延层参数设计 | 第36-39页 |
2.2 仿真模型 | 第39-40页 |
2.3 有源区结构仿真研究 | 第40-50页 |
2.3.1 1700V碳化硅结势垒肖特基二极管的仿真研究 | 第40-45页 |
2.3.2 6000V碳化硅结势垒肖特基二极管的仿真研究 | 第45-50页 |
2.4 终端结构仿真研究 | 第50-71页 |
2.4.1 1700V场限环终端结构仿真 | 第50-57页 |
2.4.2 6000V场限环终端结构仿真 | 第57-59页 |
2.4.3 新型终端结构仿真研究 | 第59-71页 |
2.5 本章小结 | 第71-73页 |
第三章 碳化硅结势垒肖特基二极管的实验结果 | 第73-86页 |
3.1 1700V碳化硅结势垒肖特基二极管 | 第74-77页 |
3.1.1 正向特性实验结果 | 第74-75页 |
3.1.2 反向特性实验结果 | 第75-76页 |
3.1.3 实验结果分析 | 第76-77页 |
3.2 6000V碳化硅结势垒肖特基二极管 | 第77-85页 |
3.2.1 正向特性实验结果 | 第77-81页 |
3.2.2 反向特性实验结果 | 第81-82页 |
3.2.3 改进实验结果 | 第82-83页 |
3.2.4 实验结果分析 | 第83-85页 |
3.3 本章小结 | 第85-86页 |
第四章 碳化硅结势垒肖特基二极管的建模和优化设计 | 第86-114页 |
4.1 导通特性的建模 | 第86-96页 |
4.1.1 能带分析 | 第86-91页 |
4.1.2 导通特性模型 | 第91-96页 |
4.2 阻断特性的建模 | 第96-110页 |
4.2.1 能带分析 | 第96-100页 |
4.2.2 准二维电场分布模型 | 第100-106页 |
4.2.3 漏电流模型 | 第106-110页 |
4.3 碳化硅结势垒肖特基二极管的结构优化设计 | 第110-113页 |
4.4 本章小结 | 第113-114页 |
第五章 碳化硅夹断型势垒新型二极管的研究 | 第114-132页 |
5.1 器件设计和仿真研究 | 第114-125页 |
5.1.1 金属-半导体接触势垒对器件势垒高度的调制作用 | 第115-116页 |
5.1.2 PN结的结深和结间距对器件势垒高度的调制作用 | 第116页 |
5.1.3 PBR二极管的结构设计 | 第116-125页 |
5.2 PBR二极管的实验结果 | 第125-128页 |
5.2.1 正向特性实验结果 | 第126页 |
5.2.2 反向特性实验结果 | 第126-128页 |
5.2.3 实验结果分析 | 第128页 |
5.3 PBR二极管的进一步优化设计 | 第128-131页 |
5.4 本章小结 | 第131-132页 |
第六章 结论与展望 | 第132-136页 |
6.1 本文工作总结 | 第132-134页 |
6.2 后续研究展望 | 第134-136页 |
参考文献 | 第136-143页 |
攻读博士学位期间的科研成果 | 第143页 |