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新型碳化硅功率二极管的研究

致谢第5-8页
摘要第8-10页
Abstract第10-11页
第一章 绪论第15-36页
    1.1 碳化硅材料第15-17页
        1.1.1 碳化硅材料的特性第15-17页
        1.1.2 碳化硅材料的发展第17页
    1.2 碳化硅二极管的工艺技术第17-27页
        1.2.1 刻蚀第17-19页
        1.2.2 离子注入第19-20页
        1.2.3 热氧化第20-21页
        1.2.4 欧姆接触第21-23页
        1.2.5 肖特基接触第23-27页
    1.3 碳化硅二极管的应用第27-28页
    1.4 碳化硅二极管的研究和发展第28-33页
        1.4.1 碳化硅肖特基二极管第28-29页
        1.4.2 碳化硅新型结构肖特基二极管第29-30页
        1.4.3 碳化硅PN结二极管第30-31页
        1.4.4 衬底减薄技术第31页
        1.4.5 终端技术第31-33页
    1.5 本文的选题意义及主要研究内容第33-36页
        1.5.1 本文的选题意义第33-34页
        1.5.2 本文的主要研究内容第34-36页
第二章 碳化硅结势垒肖特基二极管的结构设计和仿真研究第36-73页
    2.1 外延层参数设计第36-39页
    2.2 仿真模型第39-40页
    2.3 有源区结构仿真研究第40-50页
        2.3.1 1700V碳化硅结势垒肖特基二极管的仿真研究第40-45页
        2.3.2 6000V碳化硅结势垒肖特基二极管的仿真研究第45-50页
    2.4 终端结构仿真研究第50-71页
        2.4.1 1700V场限环终端结构仿真第50-57页
        2.4.2 6000V场限环终端结构仿真第57-59页
        2.4.3 新型终端结构仿真研究第59-71页
    2.5 本章小结第71-73页
第三章 碳化硅结势垒肖特基二极管的实验结果第73-86页
    3.1 1700V碳化硅结势垒肖特基二极管第74-77页
        3.1.1 正向特性实验结果第74-75页
        3.1.2 反向特性实验结果第75-76页
        3.1.3 实验结果分析第76-77页
    3.2 6000V碳化硅结势垒肖特基二极管第77-85页
        3.2.1 正向特性实验结果第77-81页
        3.2.2 反向特性实验结果第81-82页
        3.2.3 改进实验结果第82-83页
        3.2.4 实验结果分析第83-85页
    3.3 本章小结第85-86页
第四章 碳化硅结势垒肖特基二极管的建模和优化设计第86-114页
    4.1 导通特性的建模第86-96页
        4.1.1 能带分析第86-91页
        4.1.2 导通特性模型第91-96页
    4.2 阻断特性的建模第96-110页
        4.2.1 能带分析第96-100页
        4.2.2 准二维电场分布模型第100-106页
        4.2.3 漏电流模型第106-110页
    4.3 碳化硅结势垒肖特基二极管的结构优化设计第110-113页
    4.4 本章小结第113-114页
第五章 碳化硅夹断型势垒新型二极管的研究第114-132页
    5.1 器件设计和仿真研究第114-125页
        5.1.1 金属-半导体接触势垒对器件势垒高度的调制作用第115-116页
        5.1.2 PN结的结深和结间距对器件势垒高度的调制作用第116页
        5.1.3 PBR二极管的结构设计第116-125页
    5.2 PBR二极管的实验结果第125-128页
        5.2.1 正向特性实验结果第126页
        5.2.2 反向特性实验结果第126-128页
        5.2.3 实验结果分析第128页
    5.3 PBR二极管的进一步优化设计第128-131页
    5.4 本章小结第131-132页
第六章 结论与展望第132-136页
    6.1 本文工作总结第132-134页
    6.2 后续研究展望第134-136页
参考文献第136-143页
攻读博士学位期间的科研成果第143页

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