| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 TiN薄膜简介 | 第9-11页 |
| 1.2.1 TiN薄膜的特点及应用 | 第9-10页 |
| 1.2.2 TiN薄膜的制备技术 | 第10-11页 |
| 1.3 多弧离子镀 | 第11-12页 |
| 1.3.1 多弧离子镀的工作原理 | 第11-12页 |
| 1.3.2 多弧离子镀的优缺点分析 | 第12页 |
| 1.3.3 多弧离子镀的发展趋势 | 第12页 |
| 1.4 磁控溅射 | 第12-15页 |
| 1.4.1 磁控溅射的工作原理 | 第12-13页 |
| 1.4.2 磁控溅射的优缺点分析 | 第13-14页 |
| 1.4.3 磁控溅射的发展趋势 | 第14-15页 |
| 1.5 气体放电伏安特性曲线 | 第15-16页 |
| 1.6 强辉弱弧区沉积粒子的脱靶方式及其电场构建 | 第16-18页 |
| 1.6.1 强辉弱弧区沉积粒子的脱靶方式 | 第16-17页 |
| 1.6.2 强辉弱弧区的电场构建 | 第17-18页 |
| 1.7 研究目的及内容 | 第18-19页 |
| 1.7.1 研究目的 | 第18-19页 |
| 1.7.2 研究内容 | 第19页 |
| 1.8 技术路线图 | 第19-21页 |
| 2 实验设备与方法 | 第21-27页 |
| 2.1 实验材料 | 第21页 |
| 2.1.2 材料预处理 | 第21页 |
| 2.2 实验设备 | 第21-22页 |
| 2.3 实验方案及工艺参数 | 第22-23页 |
| 2.3.1 薄膜的制备 | 第22-23页 |
| 2.3.2 工艺参数的设定 | 第23页 |
| 2.4 薄膜的表征方法 | 第23-27页 |
| 2.4.1 薄膜的结构表征 | 第23-24页 |
| 2.4.2 薄膜的性能表征 | 第24-27页 |
| 3 放电区间对TiN薄膜结构和性能的影响 | 第27-45页 |
| 3.1 放电区间对TiN薄膜沉积速率和离化率的影响 | 第27-29页 |
| 3.2 放电区间对TiN薄膜微观结构的影响 | 第29-35页 |
| 3.2.1 不同放电区间下TiN薄膜的XRD分析 | 第29-31页 |
| 3.2.2 不同放电区间下TiN薄膜的SEM分析 | 第31-32页 |
| 3.2.3 不同放电区间下TiN薄膜的AFM分析 | 第32-34页 |
| 3.2.4 不同放电区间下TiN薄膜的TEM分析 | 第34-35页 |
| 3.3 放电区间对TiN薄膜力学性能的影响 | 第35-39页 |
| 3.3.1 不同放电区间下TiN薄膜的硬度分析 | 第35-36页 |
| 3.3.2 不同放电区间下TiN薄膜的膜基结合强度分析 | 第36-39页 |
| 3.4 放电区间对TiN薄膜摩擦学性能的影响 | 第39-41页 |
| 3.5 放电区间对TiN薄膜耐蚀性的影响 | 第41-42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-45页 |
| 4 双脉冲电场峰值靶电流密度对TiN薄膜结构和性能的影响 | 第45-63页 |
| 4.1 伏安特性关系的演变规律 | 第45-46页 |
| 4.2 双脉冲电场峰值靶电流密度对TiN薄膜微观结构的影响 | 第46-52页 |
| 4.2.1 不同靶电流密度下TiN薄膜的XRD分析 | 第46-48页 |
| 4.2.2 不同靶电流密度下TiN薄膜的SEM分析 | 第48-50页 |
| 4.2.3 不同靶电流密度下TiN薄膜的AFM分析 | 第50-52页 |
| 4.2.4 不同靶电流密度下TiN薄膜的TEM分析 | 第52页 |
| 4.3 双脉冲电场峰值靶电流密度对TiN薄膜力学性能的影响 | 第52-58页 |
| 4.3.1 不同靶电流密度下TiN薄膜的沉积速率分析 | 第52-53页 |
| 4.3.2 不同靶电流密度下TiN薄膜的硬度分析 | 第53-55页 |
| 4.3.3 不同靶电流密度下TiN薄膜的膜基结合强度分析 | 第55-58页 |
| 4.4 双脉冲电场峰值靶电流密度对TiN薄膜摩擦学性能的影响 | 第58-61页 |
| 4.5 双脉冲电场峰值靶电流密度对TiN薄膜耐蚀性的影响 | 第61-62页 |
| 4.6 本章小结 | 第62-63页 |
| 5 结论 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的论文及成果 | 第72页 |
