| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 课题的研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 FBAR的工作原理及结构特点 | 第10-13页 |
| 1.3 用于可调谐FBAR的BST材料的概述 | 第13-15页 |
| 1.4 FBAR器件中薄膜的制备方法 | 第15-18页 |
| 1.5 FBAR的研究进展与国内外现状 | 第18-20页 |
| 1.6 本课题主要研究内容及章节安排 | 第20-22页 |
| 2 磁控溅射法制备固态装配型FBAR器件 | 第22-38页 |
| 2.1 材料及制备方法的选取 | 第22-23页 |
| 2.2 实验过程 | 第23-24页 |
| 2.3 SiO_2薄膜制备的溅射工艺优化 | 第24-26页 |
| 2.4 W薄膜制备的溅射工艺优化 | 第26-27页 |
| 2.5 ZnO薄膜制备的溅射工艺优化 | 第27-30页 |
| 2.6 退火处理对W/SiO_2 Bragg反射栅的影响 | 第30-33页 |
| 2.7 固态装配型FBAR器件的制备及退火处理 | 第33-37页 |
| 2.8 本章小结 | 第37-38页 |
| 3 用于可调谐FBAR器件的BST薄膜的Rb掺杂改性 | 第38-56页 |
| 3.1 BST薄膜的制备过程 | 第39-44页 |
| 3.2 BST薄膜的性能表征与测试方法 | 第44-47页 |
| 3.3 不同Rb掺杂量对BST薄膜微观结构的影响 | 第47-50页 |
| 3.4 不同Rb掺杂量对BST薄膜介电性能的影响 | 第50-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-56页 |
| 4 全文总结与展望 | 第56-58页 |
| 4.1 全文总结 | 第56-57页 |
| 4.2 展望 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第65页 |