| 中文摘要 | 第6-7页 |
| 英文摘要 | 第7-8页 |
| 第一章 引言 | 第9-15页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 EBIT装置工作原理 | 第10-11页 |
| 1.3 EBIT装置发展与现状 | 第11-12页 |
| 1.4 上海EBIT装置优化改造动机 | 第12-13页 |
| 1.5 本章小结 | 第13-15页 |
| 第二章 上海EBIT装置优化改造设计 | 第15-47页 |
| 2.1 上海EBIT装置优化改造总体方案 | 第15-16页 |
| 2.2 超导系统 | 第16-19页 |
| 2.2.1 超导磁体设计 | 第16-18页 |
| 2.2.2 高温超导引线 | 第18-19页 |
| 2.3 低温系统 | 第19-25页 |
| 2.3.1 液氦内循环设计 | 第20页 |
| 2.3.2 低温系统热屏蔽设计 | 第20-21页 |
| 2.3.3 非对称偏心杜瓦结构设计 | 第21-24页 |
| 2.3.4 热传导优化 | 第24-25页 |
| 2.4 超高真空系统 | 第25-34页 |
| 2.4.1 真空系统设计 | 第25-31页 |
| 2.4.2 低温环境下的真空密封 | 第31页 |
| 2.4.3 真空零部件标准化选型 | 第31-32页 |
| 2.4.4 微量气体注入系统 | 第32-34页 |
| 2.5 材料甄选 | 第34-42页 |
| 2.5.1 电子枪核心部件选材 | 第34-36页 |
| 2.5.2 液氦杜瓦及真空腔室选材 | 第36-40页 |
| 2.5.3 绝缘、绝热选材 | 第40页 |
| 2.5.4 超导磁体悬挂选材 | 第40-41页 |
| 2.5.5 紧固件选材及热处理 | 第41-42页 |
| 2.6 系统高压 | 第42-43页 |
| 2.7 系统准直 | 第43-45页 |
| 2.8 本章小结 | 第45-47页 |
| 第三章 新上海EBIT装置系统测试 | 第47-67页 |
| 3.1 电光学系统模拟测试 | 第47-52页 |
| 3.1.1 电子束流轨迹模拟 | 第47-48页 |
| 3.1.2 MEWA源离子注入模拟 | 第48-52页 |
| 3.2 超导系统测试 | 第52-56页 |
| 3.2.1 中心场强度 | 第54-55页 |
| 3.2.2 中轴线磁场均匀度 | 第55-56页 |
| 3.2.3 高温超导引线测试 | 第56页 |
| 3.3 低温系统测试 | 第56-59页 |
| 3.3.1 温度探头的设置 | 第56-57页 |
| 3.3.2 系统降温 | 第57-59页 |
| 3.4 真空系统测试 | 第59-63页 |
| 3.4.1 零部件的清洁处理工艺 | 第59页 |
| 3.4.2 氦质谱检漏 | 第59-60页 |
| 3.4.3 真空度的测量 | 第60页 |
| 3.4.4 烘烤及常温抽真空 | 第60-61页 |
| 3.4.5 低温环境下的极限真空 | 第61-62页 |
| 3.4.6 微量气体注入系统测试 | 第62-63页 |
| 3.5 系统准直测试 | 第63-65页 |
| 3.5.1 真空环境下的系统同心度 | 第63-64页 |
| 3.5.2 EBIT降温后的系统同心度 | 第64页 |
| 3.5.3 高压钢筒充入0.2 MPa六氟化硫气体后的系统同心度 | 第64-65页 |
| 3.6 本章小结 | 第65-67页 |
| 第四章 新上海EBIT装置性能及物理实验研究 | 第67-83页 |
| 4.1 电子束流强度及高压锻炼 | 第67-69页 |
| 4.2 电子束密度诊断 | 第69-72页 |
| 4.3 电子束能量展宽测量 | 第72-75页 |
| 4.4 MEVVA离子源金离子注入测试 | 第75-78页 |
| 4.5 类氦到类氧钨离子KLL双电子复合测量 | 第78-81页 |
| 4.6 本章小结 | 第81-83页 |
| 第五章 总结与展望 | 第83-85页 |
| 文章列表 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |