| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-38页 |
| 1.1 半导体纳米晶 | 第11-16页 |
| 1.1.1 半导体纳米晶的性质 | 第11-14页 |
| 1.1.2 半导体纳米晶的合成 | 第14-15页 |
| 1.1.3 半导体纳米晶的应用 | 第15-16页 |
| 1.2 半导体纳米晶能带工程重要手段——掺杂 | 第16-20页 |
| 1.2.1 掺杂对于半导体纳米晶的影响 | 第17页 |
| 1.2.2 掺杂型纳米晶的合成手段 | 第17-18页 |
| 1.2.3 掺杂发光机理 | 第18-20页 |
| 1.3 钙钛矿材料 | 第20-28页 |
| 1.3.1 钙钛矿材料的合成方法 | 第21-23页 |
| 1.3.2 钙钛矿材料的应用 | 第23-25页 |
| 1.3.3 无机钙钛矿纳米晶的研究进展 | 第25-28页 |
| 1.4 本文立题思想 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-38页 |
| 第二章 一步法制备尺寸组成可控的无机卤化铅铯钙钛矿纳米晶 | 第38-59页 |
| 2.1 引言 | 第38-39页 |
| 2.2 实验部分 | 第39-41页 |
| 2.2.1 实验用品及仪器 | 第39-40页 |
| 2.2.2 油酸铯前体以及卤化铅前体的制备 | 第40-41页 |
| 2.2.3 CsPbX_3 (X = Cl, Br, and I)纳米粒子的合成 | 第41页 |
| 2.2.4 CsPb(Cl/Br)_3 and CsPb(Br/I)_3 纳米粒子的合成 | 第41页 |
| 2.2.5 一步法大量制备无机卤化铅铯钙钛矿粒子 | 第41页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第41-49页 |
| 2.3.1 CsPbBr_3粒子的合成与表征 | 第41-44页 |
| 2.3.2 CsPbCl_3和CsPbI_3粒子的合成与表征 | 第44-46页 |
| 2.3.3 CsPb(Cl/Br)_3 和CsPb(I/Br)_3 粒子的合成与表征 | 第46-48页 |
| 2.3.4 可重复的大规模生产 | 第48-49页 |
| 2.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-59页 |
| 第三章 Mn~(2+)掺杂无机卤化铅铯钙钛矿 | 第59-73页 |
| 3.1 引言 | 第59页 |
| 3.2 实验部分 | 第59-61页 |
| 3.2.1 实验用品和实验仪器 | 第59-60页 |
| 3.2.2 油酸铯前体以及卤化铅前体的制备 | 第60-61页 |
| 3.2.3 Mn:CsPbCl_3粒子的制备 | 第61页 |
| 3.2.4 Mn:CsPbBr_3和Mn:CsPbI_3粒子的制备 | 第61页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第61-68页 |
| 3.3.1 Mn:CsPbCl_3粒子的TEM，XRD表征 | 第61-63页 |
| 3.3.2 Mn:CsPbCl_3粒子的吸收和发射光谱表征 | 第63-64页 |
| 3.3.3 离子交换法合成Mn:CsPbBr_3和Mn:CsPbI_3粒子以及双光体系的调节 | 第64-66页 |
| 3.3.4 Mn~(2+)掺杂无机卤化铅铯钙钛矿发光现象的解释 | 第66-67页 |
| 3.3.5 Mn:CsPbCl_3粒子的变温荧光测试 | 第67-68页 |
| 3.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 作者简介 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
