| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·研究背景 | 第9-10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-11页 |
| ·本课题的来源、研究意义和主要内容 | 第11-14页 |
| 第二章 晶闸管(SCR)总剂量辐射损伤的基本理论 | 第14-28页 |
| ·辐射环境概述 | 第14页 |
| ·辐射效应及辐射损伤机理 | 第14-18页 |
| ·辐射效应 | 第15-16页 |
| ·辐照损伤机理 | 第16-18页 |
| ·晶闸管器件电离辐射失效模式 | 第18-24页 |
| ·晶闸管的基本结构 | 第18-20页 |
| ·晶闸管门极触发的导通过程 | 第20-21页 |
| ·X 射线辐射在晶闸管 SiO_2 中形成俘获电荷和表面态的机制 | 第21-23页 |
| ·X 射线总剂量辐射对晶闸管电参数的影响 | 第23-24页 |
| ·X 射线总剂量辐射效应对晶闸管的损伤机理 | 第24-27页 |
| ·X 射线与物质的相互作用 | 第24-25页 |
| ·X 辐射总剂量辐射对晶闸管的损伤机理 | 第25-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 晶闸管总剂量辐射的仿真研究 | 第28-35页 |
| ·简介 | 第28页 |
| ·仿真方法研究 | 第28-31页 |
| ·MEDICI 软件简介 | 第28-29页 |
| ·晶闸管结构模型选用 | 第29-31页 |
| ·仿真结果 | 第31-34页 |
| ·仿真的局限性 | 第34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 10kev X 射线总剂量辐射对晶闸管特性的影响 | 第35-45页 |
| ·简介 | 第35页 |
| ·实验方案 | 第35-37页 |
| ·实验样品 | 第35页 |
| ·辐射实验条件 | 第35-36页 |
| ·实验和测试仪器 | 第36-37页 |
| ·实验结果与分析 | 第37-44页 |
| ·晶闸管总剂量辐射的实验结果 | 第37-40页 |
| ·结果分析 | 第40-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 晶闸管抗辐射加固技术的仿真研究 | 第45-54页 |
| ·简介 | 第45页 |
| ·基于MEDICI 抗辐射加固技术的仿真研究 | 第45-53页 |
| ·基区掺杂浓度对晶闸管抗辐射能力的影响 | 第45-49页 |
| ·发射区掺杂浓度对晶闸管抗辐射能力的影响 | 第49-50页 |
| ·集电区掺杂浓度对晶闸管抗辐射能力的影响 | 第50-53页 |
| ·仿真结果分析 | 第53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 附录 | 第60-63页 |
| 附件 | 第63页 |