| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第13-37页 |
| 1.1 有机电致发光现象的起源与发展 | 第13-21页 |
| 1.1.1 有机电致发光材料与器件发展 | 第13-16页 |
| 1.1.2 叠层有机电致发光器件的发展 | 第16-19页 |
| 1.1.3 顶发射有机电致发光器件的发展 | 第19-21页 |
| 1.2 有源矩阵有机发光二极管概述 | 第21-25页 |
| 1.2.1 AMOLED工作原理 | 第21-22页 |
| 1.2.2 AMOLED产业化发展现状 | 第22-25页 |
| 1.3 有机电致发光器件的基础理论 | 第25-32页 |
| 1.3.1 OLED的工作原理 | 第25-26页 |
| 1.3.2 有机半导体的电子结构 | 第26-27页 |
| 1.3.3 载流子的注入与传输 | 第27-29页 |
| 1.3.4 激子 | 第29-31页 |
| 1.3.5 能量转移 | 第31-32页 |
| 1.4 有机电致发光器件的主要性能参数与表征方法 | 第32-34页 |
| 1.4.1 光度学基础知识 | 第32-33页 |
| 1.4.2 有机电致发光器件性能评价指标 | 第33-34页 |
| 1.5 本论文的主要工作内容 | 第34-37页 |
| 第二章 简单结构叠层有机电致发光器件性能改善的研究 | 第37-49页 |
| 2.1 简化叠层OLED器件结构的意义 | 第37-38页 |
| 2.2 实验制备与测试方法 | 第38-41页 |
| 2.2.1 实验所用到的材料 | 第38-39页 |
| 2.2.2 器件制备工艺 | 第39-40页 |
| 2.2.3 器件结构 | 第40-41页 |
| 2.2.4 有机电致发光器件的性能测试 | 第41页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第41-47页 |
| 2.3.1 MoOx作为电荷产生层的简单结构叠层OLED性能不佳的原因 | 第41-44页 |
| 2.3.2 改善简单结构叠层OLED发光区内载流子平衡的研究 | 第44-47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第三章 基于缓冲层修饰的p/n型平面有机异质结为电荷产生单元的高性能叠层有机电致发光器件 | 第49-63页 |
| 3.1 基于p/n型平面有机异质结为电荷生成单元的研究背景 | 第49-50页 |
| 3.2 实验制备与测试方法 | 第50-53页 |
| 3.2.1 实验所用到的材料 | 第50-51页 |
| 3.2.2 器件制备工艺 | 第51页 |
| 3.2.3 器件结构 | 第51-53页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第53-61页 |
| 3.3.1 p/n型电荷产生单元的设计思想及其机理分析 | 第53-56页 |
| 3.3.2 电致发光特性分析 | 第56-58页 |
| 3.3.3 叠层器件的进一步优化 | 第58-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 缓冲层修饰的n/p和p/n型平面有机异质结作为叠层有机电致发光器件电荷产生单元的比较研究 | 第63-79页 |
| 4.1 电荷产生单元中缓冲层的研究背景 | 第63-64页 |
| 4.2 实验制备与测试方法 | 第64-67页 |
| 4.2.1 实验所用到的材料 | 第64-65页 |
| 4.2.2 器件结构 | 第65-67页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第67-76页 |
| 4.3.1 电致发光特性分析 | 第67-69页 |
| 4.3.2 缓冲层对电荷产生机制的影响 | 第69-70页 |
| 4.3.3 n/p型和p/n型电荷产生单元的工作机理 | 第70-72页 |
| 4.3.4 基于n/p型电荷产生单元的叠层器件性能优化 | 第72-74页 |
| 4.3.5 缓冲层修饰Bphen/NPB和Bphen/Ir(ppz)3 为CGL的对比研究 | 第74-76页 |
| 4.4 本章小结 | 第76-79页 |
| 第五章 基于MoOx掺杂的顶发射有机电致发光器件研究 | 第79-95页 |
| 5.1 顶发射OLED的研究背景 | 第79页 |
| 5.2 顶发射OLED的微腔设计理论 | 第79-81页 |
| 5.2.1 光学微腔简介 | 第79-80页 |
| 5.2.2 顶发射OLED腔长设计方法 | 第80-81页 |
| 5.3 实验制备与测试方法 | 第81-86页 |
| 5.3.1 实验所用到的材料 | 第81-84页 |
| 5.3.2 器件制备工艺 | 第84页 |
| 5.3.3 器件结构 | 第84-86页 |
| 5.4 实验结果与讨论 | 第86-94页 |
| 5.4.1 MoOx掺杂技术的机理分析 | 第86-87页 |
| 5.4.2 硅基顶发射OLED性能分析及微显示器件的制备 | 第87-90页 |
| 5.4.3 倒置顶发射OLED性能分析 | 第90-92页 |
| 5.4.4 红光倒置顶发射OLED内量子产率提高的原因 | 第92-94页 |
| 5.5 本章小结 | 第94-95页 |
| 第六章 总结 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-109页 |
| 作者简介及在学期间取得的科研成果 | 第109-111页 |
| 致谢 | 第111页 |
