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WO3(Vo)纳米线气敏灵敏度与气体选择性的理论研究

中文摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第8-18页
    1.1 气敏传感器简介第8-12页
        1.1.1 气敏传感器的定义第8页
        1.1.2 气敏传感器的分类第8-9页
        1.1.3 电阻式气敏传感器的主要特性参数第9-11页
        1.1.4 气体传感器的发展历程第11-12页
    1.2 纳米技术简介及其在传感器中的应用第12-13页
    1.3 计算材料学简介及其在材料研究中的应用第13-15页
        1.3.1 计算材料学简介第13-14页
        1.3.2 计算材料学的发展历程第14-15页
    1.4 选题依据、研究意义以及研究内容第15-18页
        1.4.1 选题依据、研究意义第15-16页
        1.4.2 研究内容第16-18页
第二章 第一性原理计算方法和分子动力学方法概述第18-25页
    2.1 第一性原理计算方法第18-23页
        2.1.1 Hartree-Fock方法第18-20页
            2.1.1.1 绝热近似第19页
            2.1.1.2 Hartree-Fock近似第19-20页
        2.1.2 密度泛函理论第20-22页
            2.1.2.1 Hohenberg-Kohn定理第20-21页
            2.1.2.2 Kohn-Sham方程第21页
            2.1.2.3 自洽计算第21-22页
        2.1.3 结构优化第22-23页
    2.2 计算软件介绍第23-25页
        2.2.1 Materials Studio软件第23页
        2.2.2 CASTEP模块第23-25页
第三章 理想WO_3纳米线的NO_2气体吸附性能第25-32页
    3.1 理想WO_3纳米线结构及电子性能计算第25-26页
        3.1.1 理想WO_3纳米线结构第25页
        3.1.2 理想WO_3纳米线优化参数设置第25-26页
        3.1.3 理想WO_3纳米线能带结构和态密第26页
    3.2 理想WO_3纳米线NO_2吸附模型的建立及计算第26-31页
        3.2.1 理想WO_3纳米线的NO_2吸附模型及吸附能第26-28页
        3.2.2 能带结构和DOS分析第28-30页
        3.2.3 电荷布局分布第30-31页
    3.3 本章小结第31-32页
第四章 WO_3(VO)纳米线的NO_2气体吸附性能第32-43页
    4.1 WO_3(VO)纳米线模型的建立第32-33页
    4.2 WO_3(VO)纳米线NO_2吸附模型的建立及计算第33-41页
        4.2.1 NO_2气体吸附模型的建立第33-36页
        4.2.2 吸附能第36-37页
        4.2.3 能带结构和DOS分析第37-40页
        4.2.4 电荷布局分布第40-41页
    4.3 本章小结第41-43页
第五章 WO_3(VO)纳米线气体选择性的研究第43-53页
    5.1 引言第43页
    5.2 WO_3(VO)纳米线多气体吸附模型的建立第43-45页
        5.2.1 吸附气体的选择第43-44页
        5.2.2 WO_3(Vo)纳米线多气体吸附模型的建立第44-45页
    5.3 WO_3(VO)纳米线多气体吸附模型的计算第45-50页
        5.3.1 吸附能第45-47页
        5.3.2 态密度分析第47-49页
        5.3.3 电荷布局分布第49-50页
    5.4 气体选择性的分析第50-51页
    5.5 本章小结第51-53页
第六章 结论与展望第53-55页
    6.1 结论第53页
    6.2 展望第53-55页
参考文献第55-59页
发表论文和参加科研情况说明第59-60页
致谢第60-61页

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