| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 引言 | 第10-15页 |
| 1.1 GaAs/Ge空间太阳电池的国内外研究进展 | 第10-11页 |
| 1.2 低位错锗单晶的制备方法 | 第11-12页 |
| 1.2.1 提拉法 | 第11-12页 |
| 1.2.2 垂直梯度凝固法 | 第12页 |
| 1.3 数值模拟在晶体生长中的应用及发展 | 第12-14页 |
| 1.4 本文的研究内容及意义 | 第14-15页 |
| 2 晶体生长软件的数值模拟研究 | 第15-24页 |
| 2.1 锗单晶生长方法的确定 | 第15页 |
| 2.2 直拉法生长锗单晶的数学分析模型的建立 | 第15-18页 |
| 2.2.1 稳态热传导方程 | 第15页 |
| 2.2.2 辐射传热方程 | 第15-16页 |
| 2.2.3 对流传热方程 | 第16-17页 |
| 2.2.4 模拟守恒方程 | 第17-18页 |
| 2.2.5 边界条件 | 第18页 |
| 2.3 模拟软件的选择 | 第18-19页 |
| 2.4 分析步骤 | 第19-21页 |
| 2.5 模拟参数的设置 | 第21-24页 |
| 3 影响锗单晶固液界面形状因素的数值模拟研究 | 第24-46页 |
| 3.1 加热器结构对固液界面的影响 | 第24-29页 |
| 3.1.1 单加热器对晶体生长热场温度分布的影响 | 第24-25页 |
| 3.1.2 双加热器对晶体生长热场温度分布的影响 | 第25-27页 |
| 3.1.3 加热器长径比对晶体生长热场温度分布的影响 | 第27-29页 |
| 3.2 保温层厚度对固液界面的影响 | 第29-31页 |
| 3.3 坩埚位置对固液界面的影响 | 第31-34页 |
| 3.4 工艺参数对界面形状的影响 | 第34-41页 |
| 3.4.1 影响固液界面的工艺条件 | 第34-35页 |
| 3.4.2 晶转对固液界面的影响 | 第35-37页 |
| 3.4.3 埚转对固液界面的影响 | 第37-38页 |
| 3.4.4 拉速对固液界面的影响 | 第38-40页 |
| 3.4.5 等径阶段对固液界面的影响 | 第40-41页 |
| 3.5 放肩角度对固液界面的影响 | 第41-44页 |
| 3.6 小结 | 第44-46页 |
| 4 低位错锗晶体生长界面研究与高电阻率均匀性单晶生长实验 | 第46-50页 |
| 4.1 低位错锗单晶生长实验 | 第46-49页 |
| 4.1.1 晶体生长设备 | 第46页 |
| 4.1.2 晶体生长工艺 | 第46-47页 |
| 4.1.3 上保温盖轴向温场测试实验 | 第47页 |
| 4.1.4 实际晶体生长固液界面实验 | 第47-49页 |
| 4.2 小结 | 第49-50页 |
| 5 低位错锗单晶高电阻率均匀性表征与研究 | 第50-56页 |
| 5.1 电阻率径向不均匀性测试 | 第50-54页 |
| 5.2 电阻率均匀性的研究 | 第54-55页 |
| 5.3 小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读学位期间取得的成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
