| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-33页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 过渡族金属硫属化合物的研究进展 | 第10-20页 |
| 1.2.1 过渡族金属硫属化合物的结构 | 第10-12页 |
| 1.2.2 过渡族金属硫属化合物中的电荷密度波(CDW)和超导电性 | 第12-20页 |
| 1.3 二硫化钼概述 | 第20-28页 |
| 1.3.1 二硫化钼的结构 | 第21-22页 |
| 1.3.2 二硫化钼的性质和研究进展 | 第22-28页 |
| 1.4 二碲化钨概述 | 第28-32页 |
| 1.4.1 二碲化钨的结构 | 第28页 |
| 1.4.2 二碲化钨的性质和研究进展 | 第28-32页 |
| 1.5 本论文的工作 | 第32页 |
| 1.6 本章小结 | 第32-33页 |
| 第二章 掺杂二硫化钼的制备及其物性表征 | 第33-65页 |
| 2.1 引言 | 第33页 |
| 2.2 水溶液法制备掺锰二硫化钼颗粒 | 第33-37页 |
| 2.2.1 水热合成法介绍 | 第33-34页 |
| 2.2.2 实验试剂和仪器 | 第34页 |
| 2.2.3 实验过程 | 第34-35页 |
| 2.2.4 产物表征与结果讨论 | 第35-37页 |
| 2.3 固相法制备掺锰二硫化钼块材 | 第37-42页 |
| 2.3.1 实验方法 | 第37-38页 |
| 2.3.2 以硫化锰为锰源 | 第38-40页 |
| 2.3.3 以锰单质为锰源 | 第40-42页 |
| 2.4 掺锰二硫化钼薄膜 | 第42-54页 |
| 2.4.1 三氧化钼薄膜 | 第42-48页 |
| 2.4.2 掺锰二硫化钼薄膜 | 第48-51页 |
| 2.4.3 SiO_2衬底上生长掺锰二硫化钼薄膜 | 第51-54页 |
| 2.5 化学气相传输法制备插层二硫化钼单晶 | 第54-63页 |
| 2.5.1 TMDCs材料单晶生长的方法和原理 | 第54-55页 |
| 2.5.2 铁插层二硫化钼单晶 | 第55-61页 |
| 2.5.3 硒插层二硫化钼单晶 | 第61-63页 |
| 2.6 本章小结 | 第63-65页 |
| 第三章 掺杂WTe_2的制备及其磁电阻效应研究 | 第65-75页 |
| 3.1 掺铁WTe_2单晶 | 第65-70页 |
| 3.1.1 掺铁WTe_2单品的制备方法 | 第65页 |
| 3.1.2 掺铁WTe_2单晶的表征 | 第65-67页 |
| 3.1.3 磁电阻效应 | 第67-70页 |
| 3.2 钽、铼和铱掺杂WTe_2块材 | 第70-73页 |
| 3.2.1 掺杂WTe_2块材的制备方法 | 第70页 |
| 3.2.2 掺杂WTe_2块材的表征 | 第70页 |
| 3.2.3 掺杂WTe_2块材的磁电阻效应 | 第70-72页 |
| 3.2.4 铼掺杂对WTe_2块材电输运性质的影响 | 第72-73页 |
| 3.3 本章小结 | 第73-75页 |
| 第四章 总结 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-87页 |
| 硕士学位期间发表的论文 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88页 |