| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 硅光子技术的发展现状与前景 | 第10-11页 |
| 1.2 硅的光学性质 | 第11-12页 |
| 1.3 硅波导 | 第12-13页 |
| 1.4 硅波导中的非线性效应 | 第13-15页 |
| 1.5 中红外波段的硅基光子学 | 第15-16页 |
| 1.6 本文的研究目的和工作内容 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-26页 |
| 第二章 直流电场引入的硅基二阶非线性效应 | 第26-46页 |
| 2.1 引言 | 第26-27页 |
| 2.2 直流电场引入的二阶非线性硅波导 | 第27-30页 |
| 2.2.1 非线性光学理论 | 第27-29页 |
| 2.2.2 直流电场引入的硅基二阶非线性极化率 | 第29-30页 |
| 2.3 直流电场引入的倍频波导的设计 | 第30-33页 |
| 2.3.1 外加电极引入直流电场 | 第30-31页 |
| 2.3.2 倍频过程的相位匹配与模式匹配 | 第31-33页 |
| 2.4 倍频过程的理论模型、数值计算与结果讨论 | 第33-41页 |
| 2.4.1 倍频过程的脉冲传输方程 | 第33-36页 |
| 2.4.2 非线性传输方程的数值计算 | 第36-37页 |
| 2.4.3 直流电场引入的硅波导倍频过程的性质分析 | 第37-41页 |
| 2.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-46页 |
| 第三章 高效率中红外-近红外转化硅波导 | 第46-60页 |
| 3.1 引言 | 第46-48页 |
| 3.2 结构渐变补偿功率损耗提高四波混频有效作用长度 | 第48-49页 |
| 3.2.1 损耗对四波混频有效作用长度的影响 | 第48-49页 |
| 3.2.2 结构渐变补偿功率损耗 | 第49页 |
| 3.3 高效率中红外-近红外四波混频硅波导的设计 | 第49-52页 |
| 3.4 高效率中红外-近红外四波混频过程的理论验证 | 第52-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 第四章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 4.1 总结 | 第60-61页 |
| 4.2 展望 | 第61-62页 |
| 硕士期间发表文章 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
