| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 前言 | 第10-16页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 铝诱导多晶硅生长机理 | 第12-14页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 多晶硅薄膜的制备工艺及机理 | 第16-22页 |
| 2.1 引言 | 第16页 |
| 2.2 多晶硅薄膜制备工艺 | 第16-22页 |
| 2.2.1 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法 | 第16-18页 |
| 2.2.2 电子束蒸发法 | 第18页 |
| 2.2.3 固相晶化法 | 第18-22页 |
| 第三章 铝诱导多晶硅薄膜的制备及表征设备 | 第22-30页 |
| 3.1 主要设备 | 第22页 |
| 3.2 薄膜制备 | 第22-25页 |
| 3.2.1 衬底清洗 | 第22页 |
| 3.2.2 低真空蒸镀法在衬底表面沉积薄膜 | 第22-23页 |
| 3.2.3 PECVD法沉积非晶（微晶）硅薄膜 | 第23-24页 |
| 3.2.4 样品的退火处理 | 第24-25页 |
| 3.3 表征仪器及方法 | 第25-30页 |
| 3.3.1 检测设备 | 第25页 |
| 3.3.2 X射线衍射仪 | 第25-26页 |
| 3.3.3 拉曼散射光谱仪 | 第26-27页 |
| 3.3.4 四探针电阻测试仪 | 第27-28页 |
| 3.3.5 扫描电子显微镜 | 第28-29页 |
| 3.3.6 紫外-可见分光光度计 | 第29-30页 |
| 第四章 铝诱导多晶硅薄膜的表征 | 第30-42页 |
| 4.1 引言 | 第30页 |
| 4.2 铝诱导多晶硅薄膜表征 | 第30-38页 |
| 4.2.1 薄膜形貌 | 第30-33页 |
| 4.2.2 结晶质量 | 第33-34页 |
| 4.2.3 晶体结构 | 第34-38页 |
| 4.3 铝诱导非晶硅晶化其它影响因素 | 第38-42页 |
| 4.3.1 制备条件的影响 | 第38-39页 |
| 4.3.2 退火条件的影响 | 第39-42页 |
| 第五章 结论与展望 | 第42-44页 |
| 5.1 结论 | 第42页 |
| 5.2 展望 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-48页 |
| 硕士研究生期间的主要工作 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50页 |