| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 石墨烯的概述 | 第11-17页 |
| 1.2.1 石墨烯材料性能 | 第11-14页 |
| 1.2.2 石墨烯的制备方法 | 第14-17页 |
| 1.3 石墨烯光电探测器的概况 | 第17-23页 |
| 1.3.1 光辐射探测技术 | 第17-18页 |
| 1.3.2 石墨烯光电探测器的光电转换原理 | 第18-19页 |
| 1.3.3 石墨烯光电探测器的研究现状 | 第19-23页 |
| 1.4 有机金属卤化物钙钛矿光电探测器的研究进展 | 第23-25页 |
| 1.4.1 有机金属卤化物钙钛矿材料的结构与性质 | 第23-24页 |
| 1.4.2 钙钛矿光电探测器的发展 | 第24-25页 |
| 1.5 光电探测器的性能参数 | 第25-26页 |
| 1.6 课题研究目的及内容 | 第26-28页 |
| 1.6.1 课题研究目的 | 第26页 |
| 1.6.2 论文研究内容与章节安排 | 第26-28页 |
| 第2章 材料的制备及性能表征 | 第28-37页 |
| 2.1 单层石墨烯制备及转移 | 第28-29页 |
| 2.1.1 实验所需材料和设备 | 第28页 |
| 2.1.2 实验使用仪器 | 第28-29页 |
| 2.2 石墨烯薄膜的转移 | 第29-31页 |
| 2.3 石墨烯的表征 | 第31-35页 |
| 2.3.1 光学显微镜分析 | 第32-33页 |
| 2.3.2 原子力显微镜表征 | 第33-34页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜表征 | 第34页 |
| 2.3.4 拉曼光谱 | 第34-35页 |
| 2.4 材料其他性能表征方法 | 第35-37页 |
| 2.4.1 X射线衍射仪 | 第36页 |
| 2.4.2 透射电子显微镜表征 | 第36页 |
| 2.4.3 光致发光光谱 | 第36-37页 |
| 第3章 石墨烯光电器件制备及性能表征 | 第37-51页 |
| 3.1 前言 | 第37页 |
| 3.2 石墨烯光电探测器的制备 | 第37-42页 |
| 3.2.1 光电探测器制备环境 | 第37-38页 |
| 3.2.3 石墨烯光电探测器的制备流程 | 第38-40页 |
| 3.2.4 石墨烯薄膜图形化工艺研究 | 第40-42页 |
| 3.2.5 光电探测器的制备结果 | 第42页 |
| 3.3 光电探测器的性能表征 | 第42-46页 |
| 3.3.1 石墨烯场效应结构光电探测器件原理 | 第42-43页 |
| 3.3.2 测试设备和测试条件 | 第43-44页 |
| 3.3.3 石墨烯场效应结构光电探测器的半导体特性 | 第44-46页 |
| 3.4 光电探测器的光电性能改善 | 第46-50页 |
| 3.4.1 氨水掺杂对石墨烯电学性能的影响 | 第47页 |
| 3.4.2 刻蚀剂对石墨烯电学性能的影响 | 第47-48页 |
| 3.4.3 PMMA对石墨烯电学性能的影响 | 第48-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 垂直石墨烯纳米墙/钙钛矿复合结构光电探测器 | 第51-70页 |
| 4.1 前言 | 第51页 |
| 4.2 石墨烯纳米墙的工艺和生长机制的研究 | 第51-57页 |
| 4.2.1 垂直石墨烯纳米墙的制备 | 第51-52页 |
| 4.2.2 生长时间对石墨烯纳米墙特性的影响 | 第52-56页 |
| 4.2.3 石墨烯纳米墙生长机理的研究 | 第56-57页 |
| 4.3 垂直石墨烯纳米墙/钙钛矿光电探测器件的制备及性能研究 | 第57-68页 |
| 4.3.1 钙钛矿的合成 | 第57页 |
| 4.3.2 器件的制备 | 第57-58页 |
| 4.3.3 石墨烯纳米墙/钙钛矿复合材料的性质表征 | 第58-61页 |
| 4.3.4 石墨烯纳米墙/钙钛矿复合材料的光学性质 | 第61-63页 |
| 4.3.5 垂直石墨烯纳米墙/钙钛矿结构光电探测器件的性能研究 | 第63-68页 |
| 4.3.6 石墨烯纳米墙/钙钛矿结构光电探测器件的机理 | 第68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 结论 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
