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角分辨光电子能谱在拓扑材料研究中的应用

摘要第3-4页
Abstract第4页
第一章 拓扑概念的诞生与发展第13-21页
    1.1 量子霍尔效应体系第13-17页
        1.1.1 整数量子霍尔效应的发现与第一类陈数第13-14页
        1.1.2 拓扑绝缘体与第二类陈数第14-17页
    1.2 动量空间中的磁场与磁单极子第17-19页
        1.2.1 动量空间中的磁场第17-18页
        1.2.2 动量空间中的磁单极子与拓扑金属第18-19页
    1.3 拓扑新概念的展望第19-21页
第二章 角分辨光电子能谱实验方法第21-45页
    2.1 ARPES基本原理第21-25页
        2.1.1 光电效应第21-22页
        2.1.2 动量守恒与能量守恒第22-25页
    2.2 光电子激发过程的量子力学近似描述第25-28页
        2.2.1 三步模型与一步模型第25-28页
    2.3 单粒子普函数第28-30页
    2.4 APRES组成结构第30-38页
    2.5 上海光源(SSRF)梦之线ARPES实验站第38-41页
    2.6 基于同步辐射光源的ARPES数据基础第41-45页
第三章 三维常规拓扑绝缘体第45-71页
    3.1 从二维到三维第45-46页
    3.2 三维拓扑绝缘体的角分辨光电子能谱研究第46-50页
    3.3 单晶As(111)表面的拓扑纠缠Shockley表面态第50-58页
        3.3.1 shockley表面态与拓扑表面态第50-51页
        3.3.2 首次在单质As表面发现Shockley拓扑纠缠表面态第51页
        3.3.3 实验条件以及晶体结构第51-52页
        3.3.4 灰砷的角分辨光电子能谱研究第52-58页
    3.4 单层大能隙二维拓扑绝缘体以及强弱拓扑绝缘体ZrTe_5第58-61页
    3.5 ZrTe_5表面台阶上发现拓扑边界态第61-71页
        3.5.1 背景介绍第61-62页
        3.5.2 STM与APRES结合测量表面态第62页
        3.5.3 ZrTe_5晶体与拓扑关系第62-64页
        3.5.4 STM与ARPES同时观测到上表面体态能隙第64-68页
        3.5.5 上表面台阶处发现一维拓扑边缘态第68-70页
        3.5.6 总结第70-71页
第四章 新型非点群拓扑绝缘体第71-87页
    4.1 沙漏费米子的预言第71-73页
    4.2 实验上首次观测到沙漏费米子第73-85页
        4.2.1 KHgSb晶体结构与其拓扑性质第74页
        4.2.2 KHgSb晶体结构的确定第74-79页
        4.2.3 KHgSb角分辨光电能谱实验第79-85页
    4.3 小结第85-87页
第五章 拓扑金属与半金属第87-109页
    5.1 拓扑狄拉克半金属第88-95页
        5.1.1 第一个拓扑狄拉克半金属Na_3Bi体系第88-89页
        5.1.2 第二个拓扑狄拉克半金属Cd_3As_2体系第89-92页
        5.1.3 ARPES实验首次发现拓扑狄拉克半金属第92-95页
    5.2 拓扑外尔半金属第95-98页
        5.2.1 拓扑外尔半金属的理论预言第95-96页
        5.2.2 实验发现拓扑外尔半金属第96-98页
    5.3 拓扑节点线Nodal line半金属第98-104页
        5.3.1 理论预言Nodal line在实际材料中存在第99页
        5.3.2 理论预言ZrSiO体系存在Nodal line半金属第99-100页
        5.3.3 ZrSnTe单晶的角分辨光电子能谱研究第100-104页
    5.4 拓扑新型半金属第104-109页
        5.4.1 简并度与拓扑半金属分类第104-105页
        5.4.2 新型费米子第105页
        5.4.3 ARPES实验在单晶钨碳中发现三重简并费米子第105-109页
第六章 总结与展望第109-111页
    6.1 拓扑材料总结第109页
    6.2 博士期间研究内容总结第109-111页
参考文献第111-121页
个人简历第121-124页
发表文章目录第124-127页
致谢第127-130页

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