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Ⅲ-Ⅴ(GaN)及Ⅳ(SiC、GeC)族二维材料表面修饰磁性自旋量子调控的第一性原理研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-24页
    1.1 石墨烯简介及研究现状第10-15页
    1.2 其他二维材料简介及研究现状第15-19页
    1.3 铁磁性物质第19-20页
    1.4 交换相互作用第20-24页
第二章 理论基础及计算方法第24-35页
    2.1 量子力学基础第24-25页
    2.2 Born-Oppenheimer绝热近似第25页
    2.3 单电子近似第25-27页
    2.4 密度泛函理论第27-28页
    2.5 交换关联泛函的简化第28-30页
    2.6 赝势第30-31页
    2.7 基组第31-32页
    2.8 布洛赫定理第32-33页
    2.9 软件简介第33-35页
第三章 二维碳化锗材料的功能化第一性原理研究第35-45页
    3.1 引言第35页
    3.2 物理模型计算方法第35-36页
    3.3 结果与讨论第36-44页
    3.4 本章小结第44-45页
第四章 二维SiC缺陷磁性研究第45-53页
    4.1 引言第45页
    4.2 物理模型计算方法第45-46页
    4.3 结果与讨论第46-52页
    4.4 本章小结第52-53页
第五章 锯齿型GaN纳米带边缘修饰的第一性原理研究第53-63页
    5.1 引言第53页
    5.2 物理模型计算方法第53-54页
    5.3 结果与讨论第54-62页
    5.4 本章小结第62-63页
第六章 总结第63-65页
参考文献第65-70页
硕士期间发表论文第70-71页
致谢第71页

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