致谢 | 第5-6页 |
摘要 | 第6-7页 |
abstract | 第7-8页 |
1 绪论 | 第13-35页 |
1.1 引言 | 第13-14页 |
1.2 卤化物闪烁晶体发光机理简介 | 第14-17页 |
1.2.1 本征发光和非本征发光 | 第15-17页 |
1.2.2 镧系元素的 5d-4f跃迁 | 第17页 |
1.3 钾冰晶石型Cs_2NaGdBr_6:Ce晶体的发光原理 | 第17-20页 |
1.3.1 Cs_2NaGdBr_6:Ce晶体的发光中心 | 第17-18页 |
1.3.2 Cs_2NaGdBr_6:Ce晶体的发光机制 | 第18-20页 |
1.4 晶体生长理论 | 第20-25页 |
1.4.1 晶体生长方法简介 | 第20-21页 |
1.4.2 常见的从熔体中生长晶体的方法 | 第21-25页 |
1.4.2.1 提拉法 | 第21-23页 |
1.4.2.2 坩埚下降法 | 第23-25页 |
1.5 表征晶体性能的参数 | 第25-28页 |
1.5.1 紫外-可见荧光光谱和X射线激发发射光谱 | 第25页 |
1.5.2 透过率 | 第25-26页 |
1.5.3 光输出 | 第26页 |
1.5.4 能量分辨率 | 第26-27页 |
1.5.5 衰减时间 | 第27-28页 |
1.6 钾冰晶石型晶体的研究现状 | 第28-29页 |
1.7 常见的钾冰晶石型闪烁晶体 | 第29-32页 |
1.7.1 Cs_2NaLaBr_6:Ce晶体 | 第30页 |
1.7.2 Cs_2LiYCl_6:Ce晶体 | 第30-31页 |
1.7.3 Cs_2LiGdCl_6:Ce晶体 | 第31页 |
1.7.4 Cs_2NaGdBr_6:Ce晶体 | 第31-32页 |
1.8 本论文选题依据与研究内容 | 第32-35页 |
1.8.1 选题依据 | 第32-33页 |
1.8.2 研究内容 | 第33-34页 |
1.8.3 技术路线及可行性分析 | 第34-35页 |
2 Cs_2NaGdBr_6:Ce晶体测试方法及仪器 | 第35-41页 |
2.1 Cs_2NaGdBr_6:Ce晶体生长设备和原料 | 第35页 |
2.2 表征样品晶体的结构和性能的测试方法和仪器 | 第35-41页 |
2.2.1 热分析(DSC/TG) | 第35-36页 |
2.2.2 X射线衍射分析(X-ray diffraction) | 第36-37页 |
2.2.3 紫外-可见荧光光谱测试 | 第37-38页 |
2.2.4 X射线激发发射光谱测试 | 第38页 |
2.2.5 透过率测试 | 第38-39页 |
2.2.6 晶体的光输出和能量分辨率(脉冲高度能谱)测试 | 第39-40页 |
2.2.7 衰减时间测试 | 第40-41页 |
3 Cs_2NaGdBr_6:Ce晶体生长、加工和封装 | 第41-52页 |
3.1 Cs_2NaGdBr_6:Ce晶体的生长 | 第41-47页 |
3.1.1 坩埚清洗 | 第41-42页 |
3.1.2 装料和封管 | 第42-43页 |
3.1.3 Cs_2NaGdBr_6:Ce单晶生长 | 第43-47页 |
3.2 晶体的缺陷与开裂 | 第47-49页 |
3.2.1 缺陷 | 第47-48页 |
3.2.2 开裂 | 第48页 |
3.2.3 减少晶体缺陷和缓解晶体开裂的措施 | 第48-49页 |
3.3 Cs_2NaGdBr_6:Ce闪烁晶体的加工和封装 | 第49-51页 |
3.4 本章小结 | 第51-52页 |
4 Cs_2NaGdBr_6:Ce晶体的结构和性能表征 | 第52-58页 |
4.1 Cs_2NaGdBr_6:Ce晶体的结构表征 | 第52-53页 |
4.1.1 DSC/TG分析 | 第52页 |
4.1.2 XRD分析 | 第52-53页 |
4.2 Cs_2NaGdBr_6:Ce晶体的性能表征 | 第53-57页 |
4.2.1 Cs_2NaGdBr_6:Ce晶体的紫外可见荧光光谱 | 第53-54页 |
4.2.2 Cs_2NaGdBr_6:Ce晶体的X射线激发发射光谱 | 第54页 |
4.2.3 Cs_2NaGdBr_6:Ce晶体的透过率 | 第54-55页 |
4.2.4 Cs_2NaGdBr_6:Ce晶体的脉冲高度谱 | 第55-56页 |
4.2.5 Cs_2NaGdBr_6:Ce晶体的衰减时间 | 第56-57页 |
4.3 本章小结 | 第57-58页 |
5 结论与展望 | 第58-60页 |
5.1 结论 | 第58-59页 |
5.2 论文创新点 | 第59页 |
5.3 展望 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-65页 |
作者简历 | 第65页 |