记忆器件等效电路模型及电学特性研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状分析 | 第10-12页 |
| 1.3 本文研究内容与结构安排 | 第12-14页 |
| 第2章 记忆器件基本理论 | 第14-21页 |
| 2.1 引言 | 第14页 |
| 2.2 惠普忆阻器 | 第14-15页 |
| 2.3 记忆器件相关概念及分类 | 第15-18页 |
| 2.3.1 忆阻器概念及分类 | 第15-17页 |
| 2.3.2 忆容器概念及分类 | 第17-18页 |
| 2.3.3 忆感器概念及分类 | 第18页 |
| 2.4 记忆系统 | 第18-20页 |
| 2.4.1 忆阻系统 | 第18-19页 |
| 2.4.2 忆容系统和忆感系统 | 第19-20页 |
| 2.5 本章小结 | 第20-21页 |
| 第3章 记忆器件等效电路模型 | 第21-41页 |
| 3.1 引言 | 第21页 |
| 3.2 忆阻器电路实现 | 第21-31页 |
| 3.2.1 最简忆阻器模拟器电路设计及仿真 | 第21-25页 |
| 3.2.2 浮地型忆阻器模拟器硬件电路实现 | 第25-27页 |
| 3.2.3 浮地型忆阻器实验测试结果 | 第27-31页 |
| 3.3 一种通用的记忆器件模拟器 | 第31-40页 |
| 3.3.1 通用型记忆器件等效电路 | 第31-32页 |
| 3.3.2 通用型记忆器件模拟器电路设计 | 第32-35页 |
| 3.3.3 通用型记忆器件模拟器电路仿真结果 | 第35-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 记忆器件电学特性研究 | 第41-56页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 忆阻器相关电学特性 | 第41-46页 |
| 4.2.1 激励类型对忆阻器电学特性的影响 | 第41-43页 |
| 4.2.2 激励频率对忆阻器电学特性的影响 | 第43-44页 |
| 4.2.3 激励幅值对忆阻器电学特性的影响 | 第44-46页 |
| 4.3 忆感器数学模型及电学特性研究 | 第46-47页 |
| 4.3.1 对称性分段线性忆感器数学模型 | 第46-47页 |
| 4.3.2 非对称性分段线性忆感器数学模型 | 第47页 |
| 4.4 状态变量初始值对忆感器电学特性的影响 | 第47-55页 |
| 4.4.1 对称性分段线性忆感器仿真结果 | 第48-53页 |
| 4.4.2 非对称性分段线性忆感器仿真结果 | 第53-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第5章 基于记忆器件的应用电路 | 第56-63页 |
| 5.1 引言 | 第56页 |
| 5.2 基于记忆器件的新型RLC串联谐振电路 | 第56-62页 |
| 5.2.1 Rm-L-C串联谐振电路 | 第58-59页 |
| 5.2.2 R-Lm-C串联谐振电路 | 第59-60页 |
| 5.2.3 R-L-Cm串联谐振电路 | 第60-62页 |
| 5.3 本章小结 | 第62-63页 |
| 第6章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 6.1 论文工作总结 | 第63-64页 |
| 6.2 论文工作不足及展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 在校期间发表学术论文与研究成果 | 第70页 |
