首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--半导体三极管(晶体管)论文--晶体管:按性能分论文

压接式IGBT器件内部电场分析与绝缘设计

摘要第5-6页
Abstract第6页
第1章 绪论第8-16页
    1.1 课题背景及研究目的和意义第8-9页
    1.2 封装技术介绍第9-13页
    1.3 国内外研究现状第13-15页
    1.4 本论文的主要研究内容第15-16页
第2章 电场仿真模型的建立第16-22页
    2.1 仿真软件的选择第16-17页
    2.2 子模组电场仿真模型的建立第17-20页
        2.2.1 几何结构第18-20页
        2.2.2 材料参数对电场分布的影响第20页
    2.3 小结第20-22页
第3章 子模组电场仿真分析第22-37页
    3.1 子模组的电场仿真分析第22-32页
        3.1.1 3300V情况第22-28页
        3.1.2 4500V情况第28-32页
    3.2 子模组框架对耐受电压影响分析第32-35页
    3.3 小结第35-37页
第4章 子模组封装结构改进设计第37-48页
    4.1 3300V子模组改进结构仿真分析第37-46页
    4.2 绝缘材料选型第46-47页
    4.3 小结第47-48页
第5章 结论与展望第48-49页
参考文献第49-52页
致谢第52页

论文共52页,点击 下载论文
上一篇:铁抗文学作品研究
下一篇:林希“津味小说”研究