| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 太赫兹技术简介 | 第15-23页 |
| 1.1 太赫兹技术研究意义 | 第15-16页 |
| 1.2 太赫兹技术的应用 | 第16-18页 |
| 1.3 太赫兹波的产生方法 | 第18-20页 |
| 1.4 固态太赫兹振荡器研究进展与面临的问题 | 第20-21页 |
| 1.5 论文结构及主要内容 | 第21-23页 |
| 第二章 耿氏效应与耿氏二极管 | 第23-33页 |
| 2.1 GaN与GaAs材料对比 | 第23-26页 |
| 2.2 耿氏效应 | 第26-30页 |
| 2.2.1 转移电子效应 | 第26-28页 |
| 2.2.2 高场畴的形成 | 第28-30页 |
| 2.3 GaN耿氏二极管设计 | 第30-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 基于超晶格结构的GaN耿氏二极管设计与仿真 | 第33-53页 |
| 3.1 AlGaN插入层技术研究背景 | 第33-35页 |
| 3.2 基于AlGaN/GaN超晶格电子发射结构的耿氏二极管设计 | 第35-38页 |
| 3.3 直流特性与自激振荡研究 | 第38-40页 |
| 3.4 器件结构参数对GaN耿氏二极管的影响 | 第40-52页 |
| 3.4.1 超晶格周期对GaN耿氏二极管的影响 | 第40-47页 |
| 3.4.2 偏置电压对GaN耿氏二极管的影响 | 第47-52页 |
| 3.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 GaN耿氏二极管新结构研究 | 第53-73页 |
| 4.1 基于双线性渐变Al组分的AlGaN电子发射层GaN耿氏二极管 | 第53-58页 |
| 4.1.1 技术背景 | 第53-54页 |
| 4.1.2 器件结构设计 | 第54-55页 |
| 4.1.3 仿真结果分析 | 第55-58页 |
| 4.2 基于Notch结构的新型GaN耿氏二极管设计 | 第58-71页 |
| 4.2.1 技术背景 | 第58-60页 |
| 4.2.2 器件结构设计 | 第60-63页 |
| 4.2.3 电学特性仿真 | 第63-65页 |
| 4.2.4 制作流程示意图 | 第65-71页 |
| 4.3 本章小结 | 第71-73页 |
| 第五章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 作者简介 | 第81-82页 |
