| 摘要 | 第4-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-23页 |
| 1.1 二维材料发展 | 第13-14页 |
| 1.2 常见二维材料以及基本电学性能 | 第14-18页 |
| 1.2.1 石墨烯 | 第15页 |
| 1.2.2 六角氮化硼 | 第15-16页 |
| 1.2.3 过渡金属二硫化物 | 第16-17页 |
| 1.2.4 第ⅤA族单质烯类 | 第17-18页 |
| 1.3 碘化铅的优异性能 | 第18-19页 |
| 1.4 范徳瓦耳斯异质结构 | 第19-21页 |
| 1.5 电场调控 | 第21页 |
| 1.6 研究方法和研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 理论和计算方法 | 第23-31页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第24-26页 |
| 2.1.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第24页 |
| 2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第24-25页 |
| 2.1.3 交换相关能量泛函 | 第25-26页 |
| 2.2 布洛赫定理和超原胞模型 | 第26-27页 |
| 2.2.1 布洛赫定理 | 第26页 |
| 2.2.2 结果优化以及超原胞模型选择 | 第26-27页 |
| 2.3 缀加平面波函数 | 第27-28页 |
| 2.4 自旋轨道耦合效应 | 第28页 |
| 2.5 范徳华修正 | 第28-29页 |
| 2.6 外加电场 | 第29页 |
| 2.7 VASP程序包 | 第29-31页 |
| 第三章 单层PbI_2二维薄膜电子结构研究 | 第31-39页 |
| 3.1 引言 | 第31-32页 |
| 3.2 模型与方法 | 第32页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第32-37页 |
| 3.4 小结 | 第37-39页 |
| 第四章 电场对MoS_2/PbI_2范徳瓦耳斯异质结电子结构调控 | 第39-51页 |
| 4.1 引言 | 第39-40页 |
| 4.2 模型与方法 | 第40-41页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第41-49页 |
| 4.3.1 MoS_2/PbI_2异质结模型 | 第41-43页 |
| 4.3.2 MoS_2/PbI_2异质结能带结构 | 第43-44页 |
| 4.3.3 外电场对MoS_2/PbI_2异质结电子能带的影响 | 第44-47页 |
| 4.3.4 外电场对MoS_2/PbI_2异质结电荷分布的影响 | 第47-49页 |
| 4.4 小结 | 第49-51页 |
| 第五章 电场对SnS_2/PbI_2异质结的能带调控 | 第51-63页 |
| 5.1 引言 | 第51-52页 |
| 5.2 模型与方法 | 第52-53页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第53-61页 |
| 5.4 结论 | 第61-63页 |
| 第六章 电场对BN和PbI_2异质结的光电性质调控 | 第63-73页 |
| 6.1 引言 | 第63-64页 |
| 6.2 模型与方法 | 第64-65页 |
| 6.3 结果和讨论 | 第65-71页 |
| 6.4 结论 | 第71-73页 |
| 第七章 电场对Graphene/PbI_2异质结势垒的调控 | 第73-81页 |
| 7.1 引言 | 第73-74页 |
| 7.2 模型和计算方法 | 第74-75页 |
| 7.2.1 模型 | 第74-75页 |
| 7.2.2 计算方法 | 第75页 |
| 7.3 结果与讨论 | 第75-80页 |
| 7.4 本章小结 | 第80-81页 |
| 第八章 总结与展望 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-97页 |
| 致谢 | 第97-99页 |
| 攻读博士学位期间发表论文汇总 | 第99-101页 |
| 攻读博士学位期间参加学术会议及学术交流 | 第101-102页 |
