| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 1 引言与理论基础 | 第11-24页 |
| 1.1 聚合物受激辐射的研究进展 | 第11-13页 |
| 1.2 电泵浦聚合物受激辐射主要存在的挑战 | 第13-14页 |
| 1.3 聚合物放大的自发辐射(ASE)机理 | 第14-20页 |
| 1.3.1 自发辐射和受激辐射 | 第14-15页 |
| 1.3.2 激光工作介质能级系统 | 第15-16页 |
| 1.3.3 放大的自发辐射(ASE)机理 | 第16页 |
| 1.3.4 放大的自发辐射(ASE)与激光的区别与联系 | 第16-17页 |
| 1.3.5 常见波导结构 | 第17-18页 |
| 1.3.6 平面光波导导光原理 | 第18-20页 |
| 1.4 聚合物电致发光机理 | 第20-23页 |
| 1.4.1 有机电致发光过程 | 第20-21页 |
| 1.4.2 典型的聚合物电致发光二级管(PLED)结构 | 第21-22页 |
| 1.4.3 聚合物发光层材料 | 第22-23页 |
| 1.5 本文主要研究内容 | 第23-24页 |
| 2 材料选择与器件制备 | 第24-27页 |
| 2.1 本文所使用的材料 | 第24-25页 |
| 2.2 旋涂法制备器件 | 第25-27页 |
| 2.2.1 单层聚合物薄膜制备基础 | 第25-26页 |
| 2.2.2 旋涂注意事项 | 第26-27页 |
| 3 F8BT：P3HT共混薄膜ASE的温度效应 | 第27-41页 |
| 3.1 实验器件制备与测量 | 第27-29页 |
| 3.1.1 聚合物平面光波导制备 | 第27-28页 |
| 3.1.2 ASE测量装置 | 第28-29页 |
| 3.2 聚合物共混薄膜的吸收和发光 | 第29-31页 |
| 3.3 常温下聚合物共混薄膜的ASE特性 | 第31-33页 |
| 3.4 不同温度下共混薄膜的光致发光特性 | 第33-36页 |
| 3.5 不同温度下共混薄膜ASE特性 | 第36-39页 |
| 3.6 本章小结 | 第39-41页 |
| 4 F8BT：P3HT共混聚合物电致发光器件的研究 | 第41-57页 |
| 4.1 器件的制备方法 | 第41-43页 |
| 4.1.1 器件结构与能级 | 第41-42页 |
| 4.1.2 制备与测试 | 第42-43页 |
| 4.2 F8BT：P3HT共混聚合物载流子迁移率 | 第43-46页 |
| 4.2.1 飞行时间法测量装置 | 第43-44页 |
| 4.2.2 F8BT：P3HT共混聚合物载流子迁移率 | 第44-46页 |
| 4.3 电致发光光谱 | 第46-47页 |
| 4.4 制备条件对器件性能的影响 | 第47-50页 |
| 4.4.1 钡电极与钙电极器件J-V曲线的对比 | 第47-48页 |
| 4.4.2 退火温度和时间对J-V-L的影响 | 第48-50页 |
| 4.5 F8BT：P3HT共混聚合物的电致发光特性 | 第50-51页 |
| 4.6 脉冲电压下F8BT：P3HT共混聚合的瞬态响应 | 第51-56页 |
| 4.6.1 测量装置 | 第51-52页 |
| 4.6.2 脉冲电压驱动下器件能达到的最大电流密度 | 第52页 |
| 4.6.3 F8BT：P3HT电致发光器件瞬态发光响应 | 第52-56页 |
| 4.7 本章小结 | 第56-57页 |
| 5 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第64-66页 |
| 学位论文数据集 | 第66页 |
