| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-20页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·多晶硅定向凝固铸造技术 | 第8-13页 |
| ·浇铸法 | 第9-10页 |
| ·热交换法 | 第10页 |
| ·布里奇曼法 | 第10-12页 |
| ·电磁感应加热连续铸造 | 第12页 |
| ·定向凝固系统法 | 第12-13页 |
| ·铸造准单晶硅 | 第13-18页 |
| ·铸造准单晶硅的优势 | 第14-15页 |
| ·铸造准单晶硅的生产方法 | 第15-16页 |
| ·研究进展 | 第16-18页 |
| ·本文研究的主要意义及内容 | 第18-20页 |
| 第二章 铸造准单晶硅生长理论及数值模型建立 | 第20-28页 |
| ·电磁感应加热原理 | 第20-22页 |
| ·趋肤效应及感应加热计算 | 第21页 |
| ·电磁力作用 | 第21-22页 |
| ·定向凝固的基本理论 | 第22-25页 |
| ·定向凝固过程中的传热问题 | 第22-23页 |
| ·定向凝固过程中的杂质分凝 | 第23-25页 |
| ·定向凝固过程中的成分过冷 | 第25页 |
| ·CG-sim软件简介 | 第25-26页 |
| ·数值模型建立 | 第26-28页 |
| 第三章 感应线圈高度与熔体高度比值k的确定 | 第28-39页 |
| ·感应加热与电阻加热的对比 | 第28-29页 |
| ·保温层厚度对熔体内部温度的影响 | 第29-30页 |
| ·线圈高度与熔体高度比值k对铸锭参数的影响 | 第30-38页 |
| ·线圈高度与熔体高度比值k对熔体对流的影响 | 第30-32页 |
| ·线圈高度与熔体高度比值k对石英坩埚内壁影响 | 第32-33页 |
| ·线圈高度与熔体高度比值k对熔体自由表面的影响 | 第33-34页 |
| ·线圈高度与熔体高度比值k对硅熔体温度的影响 | 第34-36页 |
| ·线圈高度与熔体高度比值k对固液界面形状及氧含量的影响 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 感应线圈频率及拉锭速度对生产参数的影响 | 第39-49页 |
| ·铸锭过程中籽晶铺设厚度分析 | 第39-41页 |
| ·感应线圈频率对硅熔体的影响 | 第41-43页 |
| ·感应线圈频率对功率的影响 | 第41页 |
| ·感应线圈频率对熔体流动行为的影响 | 第41-43页 |
| ·感应线圈频率对固液界面形状及氧含量的影响 | 第43-44页 |
| ·拉锭速度对准单晶硅生长的影响 | 第44-48页 |
| ·拉锭速度对熔体内温度分布和熔体对流的影响 | 第44-45页 |
| ·拉锭速度对固液界面的影响 | 第45-47页 |
| ·拉锭速度对固液界面氧含量的影响 | 第47页 |
| ·拉锭速度对V/Gn值的影响 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 结论与展望 | 第49-51页 |
| ·结论 | 第49页 |
| ·展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 个人简介 | 第57页 |