| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·研究现状 | 第11-16页 |
| ·研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 理论基础和研究方法 | 第18-30页 |
| ·密度泛函理论 | 第18-19页 |
| ·局域密度近似(Local Density Approximation, LDA) | 第18-19页 |
| ·广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation, GGA) | 第19页 |
| ·赝势平面波法 | 第19-20页 |
| ·Linux系统的简介 | 第20-22页 |
| ·Linux系统的特性 | 第21-22页 |
| ·Linux操作系统的应用 | 第22页 |
| ·Wien2K软件的介绍 | 第22-27页 |
| ·Wien2K简介 | 第23页 |
| ·Wien2K的安装 | 第23-24页 |
| ·Wien2K软件的使用方法 | 第24-27页 |
| ·Origin作图软件的简介 | 第27-30页 |
| 第三章 Mn与B(C,N)共掺对单层MoS_2电子结构以及光学特性的影响 | 第30-38页 |
| ·单层MoS_2的理论模型以及性质 | 第30-31页 |
| ·Mn与B(C,N)共掺对单层MoS_2电子特性的影响 | 第31-34页 |
| ·Mn与B(C,N)共掺对单层MoS_2光学性质的影响 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 V掺杂以及Mo,S缺陷对单层MoS_2光电特性以及磁性的影响 | 第38-46页 |
| ·单层MoS_2的V掺杂以及Mo,S缺陷的结构模型的建立 | 第38-39页 |
| ·V掺杂及Mo,S缺陷对单层MoS_2电子特性以及磁性的影响 | 第39-43页 |
| ·V掺杂及Mo,S缺陷对单层MoS_2光学性质的影响 | 第43-45页 |
| ·本章小节 | 第45-46页 |
| 第五章 边缘F化以及原子缺陷对MoS_2纳米带光电特性的影响 | 第46-54页 |
| ·Zigzag纳米带边缘F化的结构特性 | 第46-47页 |
| ·边缘F化以及缺陷处理对Armchair纳米带光电特性的影响 | 第47-52页 |
| ·本章小节 | 第52-54页 |
| 第六章 单层ZnTe上生长MoS_2的光电特性研究 | 第54-64页 |
| ·在ZnTe上进行MoS_2生长的结构模型 | 第54-55页 |
| ·在单层ZnTe上进行MoS_2生长的电子结构研究 | 第55-57页 |
| ·在单层ZnTe上进行MoS_2生长的电子特性研究 | 第57-60页 |
| ·在单层ZnTe上进行MoS_2生长的光学特性研究 | 第60-62页 |
| ·本章小节 | 第62-64页 |
| 第七章 结论与展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 附录 | 第76页 |
