| 致谢 | 第1-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-28页 |
| ·金属基复合材料 | 第15-16页 |
| ·SiC颗粒增强Cu基复合材料 | 第16页 |
| ·电子封装用金属基复合材料 | 第16-21页 |
| ·电子封装 | 第16-17页 |
| ·电子封装材料 | 第17-21页 |
| ·SiC颗粒增强Cu基复合材料的制备方法 | 第21-25页 |
| ·粉末冶金法 | 第21-23页 |
| ·放电等离子烧结 | 第23页 |
| ·无压熔渗法 | 第23-24页 |
| ·压力熔渗法 | 第24-25页 |
| ·反应熔渗法 | 第25页 |
| ·SiCp/Cu复合材料的界面调控 | 第25-26页 |
| ·添加活性元素 | 第25-26页 |
| ·设置界面阻挡层 | 第26页 |
| ·本论文研究意义与内容 | 第26-28页 |
| 第二章 SiC/Mn、SiO_2/Mn和SiC/Cu/Mn混合粉体系的界面反应 | 第28-35页 |
| ·实验方法 | 第28-29页 |
| ·SiC/Mn二元体系的界面反应 | 第29-31页 |
| ·SiO_2/Mn体系的界面反应 | 第31-32页 |
| ·SiC/Cu/Mn三元体系的界面反应 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 Mn对SiC/Cu无压熔渗的影响和评价 | 第35-58页 |
| ·实验原料及设备 | 第35-36页 |
| ·试验流程 | 第36页 |
| ·材料预处理 | 第36-39页 |
| ·SiC粉过筛 | 第36-37页 |
| ·SiC粉的清洗 | 第37页 |
| ·SiC粉的预氧化 | 第37-39页 |
| ·粘结剂的制备 | 第39页 |
| ·SiC骨架的制备 | 第39-40页 |
| ·混料 | 第40页 |
| ·SiC骨架成型 | 第40页 |
| ·无压熔渗 | 第40-42页 |
| ·QSi3-1 Cu合金块熔渗骨架 | 第41-42页 |
| ·纯Cu粉熔渗骨架 | 第42页 |
| ·复合材料的表征 | 第42页 |
| ·无压熔渗的一般机理 | 第42-45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-56页 |
| ·QSi3-1 Cu合金熔渗 | 第45-48页 |
| ·纯Cu粉的熔渗 | 第48页 |
| ·金相显微镜分析 | 第48-51页 |
| ·XRD分析 | 第51-55页 |
| ·SEM和EDS分析 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 总结与展望 | 第58-60页 |
| ·结论 | 第58页 |
| ·本文创新点 | 第58页 |
| ·展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第65页 |