基于PPLN的电光调制位相阵列光分束器的研究
致谢 | 第1-6页 |
摘要 | 第6-8页 |
ABSTRACT | 第8-12页 |
1 绪论 | 第12-24页 |
·衍射光学与阵列光分束器 | 第12-14页 |
·阵列光分束器应用 | 第14-18页 |
·光学元件基材——铌酸锂晶体 | 第18-19页 |
·铌酸锂晶体应用 | 第19-22页 |
·研究内容与章节安排 | 第22-24页 |
2 标量衍射理论 | 第24-40页 |
·菲涅尔衍射原理 | 第24-25页 |
·基尔霍夫衍射理论 | 第25-32页 |
·平面衍射屏的菲涅耳-基尔霍夫衍射公式 | 第28-32页 |
·衍射公式与叠加积分 | 第32页 |
·衍射规律的频域表达式 | 第32-35页 |
·衍射规律的频域描述 | 第32-34页 |
·衍射孔径对角谱的效应 | 第34-35页 |
·菲涅耳衍射的近似处理 | 第35-40页 |
·初步的近似处理 | 第36-37页 |
·菲涅耳近似 | 第37-40页 |
3 TALBOT效应 | 第40-50页 |
·TALBOT效应简介 | 第40-41页 |
·TALBOT效应阵列光分束器 | 第41-43页 |
·一维周期结构的TALBOT效应 | 第43-45页 |
·维周期结构的TALBOT效应 | 第45-50页 |
4 铌酸锂晶体及其极化反转特性 | 第50-64页 |
·铌酸锂晶体的结构和掺杂 | 第50-52页 |
·铌酸锂晶体的介电特性 | 第52-54页 |
·铌酸锂晶体极化反转 | 第54-57页 |
·铌酸锂晶体极化 | 第54-55页 |
·铁电畴在外加电场作用下的运动 | 第55-57页 |
·铌酸锂铁电畴的观测 | 第57-59页 |
·晶体反转电场和击穿电场温度特性 | 第59-64页 |
5 基于PPLN的可调位相阵列光分束器理论模拟 | 第64-74页 |
·位相差调节原理 | 第64-65页 |
·阵列光分束器理论模型 | 第65-68页 |
·衍射场强度分布模拟 | 第68-74页 |
·非紧凑型六角阵列结构 | 第68-70页 |
·紧凑型六角阵列结构 | 第70-74页 |
6 PPLN的制备与磁控溅射ITO薄膜电极 | 第74-84页 |
·外加电场极化法制备PPLN | 第74-77页 |
·磁控溅射ITO薄膜电极 | 第77-79页 |
·ITO/LN薄膜光电性质测试 | 第79-84页 |
·薄膜物相分析 | 第79-80页 |
·薄膜表面形貌 | 第80-81页 |
·薄膜电学性质 | 第81-82页 |
·薄膜光学性质 | 第82-84页 |
7 可调位相阵列光分束器光学实验 | 第84-90页 |
·非紧凑型六角位相阵列光分束器通光实验 | 第85-86页 |
·紧凑型六角位相阵列光分束器通光实验 | 第86-88页 |
·分析与讨论 | 第88-90页 |
8 总结 | 第90-92页 |
参考文献 | 第92-98页 |
作者简历及攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第98-102页 |
学位论文数据集 | 第102页 |