| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| ·研究背景与选题意义 | 第10-19页 |
| ·GaN的基本性质与应用 | 第11-14页 |
| ·一维GaN纳米材料合成方法 | 第14-19页 |
| ·基于一维GaN纳米材料的器件 | 第19-23页 |
| ·基于GaN纳米线的光泵激光器场效应晶体管 | 第19页 |
| ·基于单根GaN纳米线的光泵浦激光器 | 第19-20页 |
| ·基于GaN纳米线的LED | 第20-21页 |
| ·基于GaN纳米纤维的光探测器 | 第21-22页 |
| ·基于GaN纳米带的逻辑门电路 | 第22-23页 |
| ·本文的选题思想和主要内容 | 第23-24页 |
| 第二章 GaN纳米/微米线的制备与表征 | 第24-53页 |
| ·实验原料与实验设备 | 第24-29页 |
| ·实验原料 | 第24-25页 |
| ·实验设备 | 第25-26页 |
| ·材料表征方法 | 第26-29页 |
| ·以Ga_2O_3为Ga源制备GaN纳米/微米线 | 第29-40页 |
| ·催化生长GaN纳米线 | 第29-33页 |
| ·无催化生长GaN微米线与阵列 | 第33-40页 |
| ·以Ga金属为Ga源制备GaN纳米/微米线 | 第40-51页 |
| ·竹节状GaN微米线 | 第40-46页 |
| ·常压无催化生长GaN纳米/微米线 | 第46-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第三章 基于单根GaN微米线与GaN微米阵列的光泵浦激光器 | 第53-63页 |
| ·纳米光泵浦半导体激光器简介 | 第53-56页 |
| ·基于单根GaN微米线的光泵激光器 | 第56-59页 |
| ·单根GaN微米线激光性能的测试 | 第56-57页 |
| ·单根GaN微米线激光模式分析 | 第57-59页 |
| ·基于GaN微米线阵列的光泵激光器 | 第59-62页 |
| ·GaN微米线阵列的制备与测试 | 第59页 |
| ·GaN微米线阵列的激发性质 | 第59-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第四章 基于单根竹节状GaN微米线的压电忆阻器 | 第63-78页 |
| ·忆阻器简介 | 第63-65页 |
| ·忆阻器分类 | 第63-64页 |
| ·忆阻器阻变机制 | 第64页 |
| ·忆阻器的潜在应用与面临的挑战 | 第64-65页 |
| ·忆阻器的组装与性能测试 | 第65-69页 |
| ·忆阻器组装 | 第65-66页 |
| ·忆阻器性能测试 | 第66-69页 |
| ·忆阻器的阻变机理 | 第69-74页 |
| ·忆阻器的记忆性能 | 第74-75页 |
| ·压电效应调制忆阻性能 | 第75-77页 |
| ·GaN微米线忆阻器压电性能测试 | 第75-77页 |
| ·GaN微米线忆阻器压电性能分析 | 第77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 第五章 结论与展望 | 第78-80页 |
| ·结论 | 第78页 |
| ·展望 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文 | 第89页 |