| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| ·光电阴极的发展概述 | 第9页 |
| ·微纳米线阵列光阴极的研究意义及现状 | 第9-11页 |
| ·微纳米线阵列的研究意义及现状 | 第9-11页 |
| ·GaAs基光电阴极研究现状 | 第11页 |
| ·GaAs基微纳米线阵列的研究现状及意义 | 第11-12页 |
| ·论文结构安排 | 第12-15页 |
| 第2章 GaAs微米线阵列光阴极发射特性理论分析 | 第15-23页 |
| ·GaAs微米线阵列光阴极理论模型 | 第15-17页 |
| ·GaAs微米线阵列光阴极光电发射模型 | 第15-17页 |
| ·光谱响应理论模型 | 第17页 |
| ·GaAs微米线阵列光阴极光电特性的仿真分析 | 第17-20页 |
| ·入射光角度对GaAs微米线阵列的影响 | 第18页 |
| ·微米线高度对GaAs微米线阵列的影响 | 第18-19页 |
| ·不同占空比下GaAs微米线阵列对光的吸收 | 第19-20页 |
| ·GaAs微米线阵列结构与薄膜结构吸收率的对比 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-23页 |
| 第3章 GaAs基微米线阵列的制备 | 第23-39页 |
| ·常用微/纳米线制备方法 | 第23-26页 |
| ·金属有机化学气相沉积 | 第23-24页 |
| ·分子束外延 | 第24页 |
| ·二维胶体晶体刻蚀法 | 第24-25页 |
| ·纳米压印技术 | 第25页 |
| ·感应耦合等离子体刻蚀 | 第25-26页 |
| ·GaAs基微米线阵列的制备 | 第26-33页 |
| ·GaAs微米线阵列制备工艺设备 | 第26-28页 |
| ·GaAs微米线阵列的制备 | 第28-32页 |
| ·AlGaAs微米线阵列的制备 | 第32-33页 |
| ·纳米压印法制备GaAs纳米线阵列 | 第33-38页 |
| ·紫外纳米压印的原理 | 第33-34页 |
| ·GaAs纳米线阵列的制备 | 第34-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 GaAs微米线阵列性能测试及结果分析 | 第39-47页 |
| ·GaAs微米线阵列性能测试方法及原理介绍 | 第39-40页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第39页 |
| ·光致发光光谱 | 第39页 |
| ·紫外可见分光光度计 | 第39-40页 |
| ·GaAs微米线阵列形貌分析 | 第40-42页 |
| ·不同ICP刻蚀时间对GaAs微米线阵列形貌的影响 | 第40-41页 |
| ·不同直径的GaAs微米线阵列形貌分析 | 第41页 |
| ·不同结构的GaAs微米线阵列形貌分析 | 第41-42页 |
| ·GaAs微米线阵列PL谱和反射谱分析 | 第42-45页 |
| ·GaAs微米线阵列PL谱分析 | 第42-44页 |
| ·GaAs微米线阵列反射谱分析 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第5章 GaAs微米线阵列光阴极制备及光谱响应 | 第47-55页 |
| ·光阴极多功能综合测试系统 | 第47-48页 |
| ·多信息量测控系统 | 第47页 |
| ·超高真空激活系统 | 第47-48页 |
| ·表面分析系统 | 第48页 |
| ·GaAs微米线阵列光阴极的制备 | 第48-51页 |
| ·GaAs微米线阵列净化工艺 | 第48-49页 |
| ·GaAs微米线阵列表面Cs、O激活 | 第49-51页 |
| ·GaAs微米线阵列光阴极光谱响应分析 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第6章 结束语 | 第55-57页 |
| ·总结 | 第55-56页 |
| ·展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表的论文及取得的成果 | 第65页 |