致谢 | 第1-7页 |
摘要 | 第7-10页 |
ABSTRACT | 第10-15页 |
第一章 绪论 | 第15-36页 |
·空间辐射环境 | 第15-21页 |
·银河宇宙线 | 第16-17页 |
·太阳宇宙射线 | 第17-19页 |
·地球辐射带(Van Allen Belts) | 第19-21页 |
·单粒子效应 | 第21-24页 |
·单粒子翻转(SEU) | 第22-23页 |
·单粒子闩锁(SEL) | 第23页 |
·单粒子瞬态脉冲(SET) | 第23页 |
·单粒子功能中断(SEFI) | 第23-24页 |
·单粒子烧毁(SEB) | 第24页 |
·半导体SOI工艺 | 第24-29页 |
·SOI工艺器件优点 | 第25-26页 |
·SOI制备工艺 | 第26-29页 |
·单粒子效应实验研究 | 第29-34页 |
·单粒子效应研究方法 | 第29-30页 |
·地面加速器单粒子效应模拟 | 第30-33页 |
·存在问题 | 第33-34页 |
·本文的主要研究内容 | 第34-36页 |
第二章 单粒子效应实验 | 第36-44页 |
·兰州重离子加速器 | 第36-38页 |
·单粒子效应实验终端 | 第38-39页 |
·SOI SRAM器件 | 第39-41页 |
·单粒子效应试验测试系统 | 第41-44页 |
第三章 边缘效应对器件SEU截面的影响研究 | 第44-61页 |
·有效LET值概念 | 第44-46页 |
·不同重离子入射方式对SEU的实验研究 | 第46-52页 |
·实验条件 | 第47-49页 |
·实验结果 | 第49-52页 |
·边缘效应对SEU影响的计算模拟和理论分析 | 第52-58页 |
·器件模型构建 | 第52-54页 |
·CREME-MC计算模拟结果 | 第54-55页 |
·边缘效应的几何结构理论分析 | 第55-58页 |
·讨论 | 第58-59页 |
·小结 | 第59-61页 |
第四章 核反应对SOI器件SEU敏感性的影响研究 | 第61-78页 |
·核反应导致单粒子翻转的研究背景 | 第61-63页 |
·质子辐照SOI SRAM器件SEU实验研究 | 第63-65页 |
·实验条件 | 第63页 |
·实验结果及分析 | 第63-65页 |
·质子小结 | 第65页 |
·重离子核反应导致SEU实验研究 | 第65-68页 |
·实验条件 | 第65-66页 |
·实验结果和定性分析 | 第66-68页 |
·GEANT4模拟核反应产物对SEU截面的影响 | 第68-75页 |
·模拟条件 | 第68-70页 |
·Geant4模拟结果 | 第70-75页 |
·重离子核反应对SEU带来的挑战 | 第75-76页 |
·小结 | 第76-78页 |
第五章 重离子累积辐照对SEU敏感性的影响研究 | 第78-92页 |
·重离子累积辐照对SEU的协同作用研究背景 | 第78-80页 |
·重离子累积辐照对SEU的协同作用实验思路 | 第80-81页 |
·重离子累积辐照影响SOI SRAM器件SEU实验结果 | 第81-84页 |
·重离子累积辐照影响SEU敏感性的定性分析 | 第84-91页 |
·重离子累积辐照作用机理 | 第84-87页 |
·实验结果定性分析 | 第87-91页 |
·小结 | 第91-92页 |
第六章 结论与展望 | 第92-96页 |
·主要结论 | 第92-94页 |
·进一步工作的方向 | 第94-96页 |
参考文献 | 第96-106页 |
发表文章 | 第106页 |