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基于重离子加速器的SOI SRAM器件单粒子翻转实验研究

致谢第1-7页
摘要第7-10页
ABSTRACT第10-15页
第一章 绪论第15-36页
   ·空间辐射环境第15-21页
     ·银河宇宙线第16-17页
     ·太阳宇宙射线第17-19页
     ·地球辐射带(Van Allen Belts)第19-21页
   ·单粒子效应第21-24页
     ·单粒子翻转(SEU)第22-23页
     ·单粒子闩锁(SEL)第23页
     ·单粒子瞬态脉冲(SET)第23页
     ·单粒子功能中断(SEFI)第23-24页
     ·单粒子烧毁(SEB)第24页
   ·半导体SOI工艺第24-29页
     ·SOI工艺器件优点第25-26页
     ·SOI制备工艺第26-29页
   ·单粒子效应实验研究第29-34页
     ·单粒子效应研究方法第29-30页
     ·地面加速器单粒子效应模拟第30-33页
     ·存在问题第33-34页
   ·本文的主要研究内容第34-36页
第二章 单粒子效应实验第36-44页
   ·兰州重离子加速器第36-38页
   ·单粒子效应实验终端第38-39页
   ·SOI SRAM器件第39-41页
   ·单粒子效应试验测试系统第41-44页
第三章 边缘效应对器件SEU截面的影响研究第44-61页
   ·有效LET值概念第44-46页
   ·不同重离子入射方式对SEU的实验研究第46-52页
     ·实验条件第47-49页
     ·实验结果第49-52页
   ·边缘效应对SEU影响的计算模拟和理论分析第52-58页
     ·器件模型构建第52-54页
     ·CREME-MC计算模拟结果第54-55页
     ·边缘效应的几何结构理论分析第55-58页
   ·讨论第58-59页
   ·小结第59-61页
第四章 核反应对SOI器件SEU敏感性的影响研究第61-78页
   ·核反应导致单粒子翻转的研究背景第61-63页
   ·质子辐照SOI SRAM器件SEU实验研究第63-65页
     ·实验条件第63页
     ·实验结果及分析第63-65页
     ·质子小结第65页
   ·重离子核反应导致SEU实验研究第65-68页
     ·实验条件第65-66页
     ·实验结果和定性分析第66-68页
   ·GEANT4模拟核反应产物对SEU截面的影响第68-75页
     ·模拟条件第68-70页
     ·Geant4模拟结果第70-75页
   ·重离子核反应对SEU带来的挑战第75-76页
   ·小结第76-78页
第五章 重离子累积辐照对SEU敏感性的影响研究第78-92页
   ·重离子累积辐照对SEU的协同作用研究背景第78-80页
   ·重离子累积辐照对SEU的协同作用实验思路第80-81页
   ·重离子累积辐照影响SOI SRAM器件SEU实验结果第81-84页
   ·重离子累积辐照影响SEU敏感性的定性分析第84-91页
     ·重离子累积辐照作用机理第84-87页
     ·实验结果定性分析第87-91页
   ·小结第91-92页
第六章 结论与展望第92-96页
   ·主要结论第92-94页
   ·进一步工作的方向第94-96页
参考文献第96-106页
发表文章第106页

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