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PECVD法制备a-SiC_x:H薄膜及其光电性能研究

摘要第1-6页
Abstract第6-11页
第一章 绪论第11-26页
 §1.1 引言第11-12页
 §1.2 太阳能电池的国内外发展现状第12-15页
 §1.3 太阳能电池的原理及工艺第15-20页
     ·太阳能电池的工作原理第15-19页
     ·太阳能电池的制备工艺第19-20页
 §1.4 太阳能电池表面薄膜减反射钝化原理第20-22页
 §1.5 晶体硅太阳电池减反射钝化薄膜的研究现状及不足第22-23页
 §1.6 非晶碳化硅(a-SiCx:H)薄膜的研究进展第23-24页
 §1.7 本论文的主要研究内容及组织第24-26页
     ·本论文研究内容第24-25页
     ·本论文的组织第25-26页
第二章 a-SiCx:H 薄膜的制备工艺与表征第26-37页
 §2.1 RF-PECVD 沉积设备第26-27页
     ·PECVD 设备的简介第26页
     ·PECVD 系统的工作原理第26-27页
 §2.2 实验设计方案第27-33页
     ·实验材料的选择第27-28页
     ·衬底的清洗第28-29页
     ·样品制备的方案第29-31页
     ·a-SiCx:H 薄膜减反射实验第31-32页
     ·a-SiCx:H 和 a-SiNx:H 薄膜减反射对比试验第32页
     ·薄膜制备的实验步骤第32-33页
 §2.3 非晶碳化硅薄膜的表征方法第33-37页
     ·X 射线光电子能谱(XPS)第33页
     ·傅里叶红外变换光谱(FTIR)第33-34页
     ·X 射线衍射仪(XRD)第34-35页
     ·原子力显微镜(AFM)第35页
     ·紫外可见分光光度计(UV-VIS)第35页
     ·光学性能测试系统(NKD)第35-36页
     ·少数载流子测试系统第36-37页
第三章 制备条件对 a-SiCx:H 薄膜的性质影响的研究第37-58页
 §3.1 流量比对 a-SiCx:H 薄膜的结构和性能的影响第37-45页
     ·不同流量比时 a-SiCx:H 薄膜的化学结构第37-38页
     ·不同流量比对 a-SiCx:H 薄膜中 C/Si 元素比的影响第38-40页
     ·不同流量比对 a-SiCx:H 薄膜生长速率的影响第40-41页
     ·不同流量比时 a-SiCx:H 薄膜的折射率第41页
     ·不同流量比时 a-SiCx:H 薄膜的光学带隙第41-43页
     ·不同流量比时 a-SiCx:H 薄膜的表面形貌第43-44页
     ·不同流量比对 a-SiCx:H 薄膜少子寿命的影响第44-45页
 §3.2 衬底温度对 a-SiCx:H 薄膜的性能的影响第45-51页
     ·不同衬底温度对 a-SiCx:H 薄膜中 C、Si 元素比的影响第45-46页
     ·不同衬底温度对 a-SiCx:H 薄膜生长速率的影响第46-47页
     ·不同衬底温度时 a-SiCx:H 薄膜的折射率第47-48页
     ·不同衬底温度时 a-SiCx:H 薄膜的光学带隙第48-49页
     ·不同衬底温度时 a-SiCx:H 薄膜的表面形貌第49-50页
     ·不同衬底温度对 a-SiCx:H 薄膜少子寿命的影响第50-51页
 §3.3 功率密度对 a-SiCx:H 薄膜的性能的影响第51-57页
     ·不同功率密度对 a-SiCx:H 薄膜中 C、Si 元素比的影响第51-52页
     ·不同功率密度对 a-SiCx:H 薄膜生长速率的影响第52-53页
     ·不同功率密度时 a-SiCx:H 薄膜的折射率第53-54页
     ·不同功率密度时 a-SiCx:H 薄膜的光学带隙第54-55页
     ·不同功率密度时 a-SiCx:H 薄膜的表面形貌第55-56页
     ·不同功率密度对 a-SiCx:H 薄膜少子寿命的影响第56-57页
 §3.4 本章小结第57-58页
第四章 a-SiCx:H 薄膜的减反射性能研究第58-62页
 §4.1 a-SiCx:H 薄膜的正交试验分析第58-60页
 §4.2 a-SiCx:H 和 a-SiNx:H 薄膜减反射对比试验第60-61页
 §4.3 本章小结第61-62页
第五章 结论与展望第62-64页
 §5.1 结论第62-63页
 §5.2 展望第63-64页
致谢第64-65页
参考文献第65-70页
攻读硕士期间论文发表情况第70页

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