| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-35页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·硅纳米线的研究进展 | 第10-18页 |
| ·硅纳米线的合成 | 第11-14页 |
| ·硅纳米线的表面修饰及应用研究现状 | 第14-18页 |
| ·纳米材料表面掺杂的研究进展 | 第18-24页 |
| ·表面掺杂的定义 | 第18-19页 |
| ·金刚石的表面掺杂及应用 | 第19-21页 |
| ·硅纳米线的表面掺杂及应用 | 第21-23页 |
| ·其它一些材料的表面掺杂及应用 | 第23-24页 |
| ·课题的研究目的及内容 | 第24-26页 |
| ·研究目的 | 第24-25页 |
| ·研究内容 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-35页 |
| 第二章 氢端终止硅纳米线加速铜氧化 | 第35-49页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·实验部分 | 第36-39页 |
| ·实验原料及主要表征仪器 | 第36页 |
| ·硅纳米线的合成 | 第36页 |
| ·实验过程 | 第36-38页 |
| ·XRD 定量计算 | 第38-39页 |
| ·结果与讨论 | 第39-46页 |
| ·本章小结 | 第46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 第三章 Ag@AgxO-SiNWs 作为表面增强拉曼基底的研究 | 第49-65页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·实验部分 | 第50-52页 |
| ·实验原料及主要表征仪器 | 第50-51页 |
| ·硅纳米线的合成 | 第51页 |
| ·实验过程 | 第51-52页 |
| ·结果与讨论 | 第52-60页 |
| ·SiNW 薄膜和 Ag@AgxO-SiNWs 基底的表征 | 第52-55页 |
| ·以 Ag@AgxO-SiNWs 为基底的表面增强拉曼 | 第55-60页 |
| ·本章小结 | 第60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 第四章 氧化亚铜修饰的硅纳米线的光催化性质研究 | 第65-78页 |
| ·引言 | 第65-66页 |
| ·实验部分 | 第66-67页 |
| ·实验原料及主要的表征设备 | 第66页 |
| ·硅片表面修饰 | 第66页 |
| ·硅线上修饰氧化亚铜 | 第66-67页 |
| ·光催化降解罗丹明 B | 第67页 |
| ·结果与讨论 | 第67-73页 |
| ·硅片表面修饰表征 | 第67-69页 |
| ·Cu2O-SiNWs 表征 | 第69-71页 |
| ·Cu2O-SiNWs 光催化性能 | 第71-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 第五章 总结与展望 | 第78-80页 |
| ·总结 | 第78-79页 |
| ·展望 | 第79-80页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
