| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·薄膜沉积技术的研究背景 | 第11-15页 |
| ·锗材料的辐照损伤研究背景 | 第15-17页 |
| ·本课题的研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 分子动力学理论 | 第19-40页 |
| ·基本的分子动力学模拟方法简介 | 第19-23页 |
| ·一些重要术语 | 第23-30页 |
| ·系综 | 第23-28页 |
| ·积分步长 | 第28页 |
| ·MD模拟中几个热力学量的计算 | 第28-30页 |
| ·原子之间的相互作用 | 第30-40页 |
| ·两体势函数 | 第30-31页 |
| ·多体势函数 | 第31-35页 |
| ·力的计算 | 第35页 |
| ·边界条件 | 第35-36页 |
| ·空间分割 | 第36-37页 |
| ·热平衡 | 第37-40页 |
| 第三章 数值计算 | 第40-46页 |
| ·模拟模型 | 第40页 |
| ·单位 | 第40-41页 |
| ·对相关函数 | 第41-43页 |
| ·纳米原子的应力发展 | 第43-44页 |
| ·薄膜表面的粗糙度 | 第44页 |
| ·模拟的流程图 | 第44-46页 |
| 第四章 团簇大小、入射动能等对铜团簇沉积在硅衬底上的影响 | 第46-104页 |
| ·研究背景 | 第46-47页 |
| ·模拟模型(一) | 第47-49页 |
| ·计算结论与讨论(一) | 第49-68页 |
| ·不同大小、结构的入射团簇对于团簇沉积的影响 | 第49-57页 |
| ·不同的初始动能对于团簇沉积的影响 | 第57-63页 |
| ·不同衬底温度对团簇沉积的影响 | 第63-68页 |
| ·小结(一) | 第68-69页 |
| ·模拟模型(二) | 第69-70页 |
| ·结果和讨论(二) | 第70-102页 |
| ·不同大小、结构的团簇对团簇沉积的影响 | 第70-72页 |
| ·不同的入射动能对团簇沉积的影响 | 第72-82页 |
| ·不同的衬底温度对团簇沉积的影响 | 第82-87页 |
| ·不同的衬底晶体取向对团簇沉积的影响 | 第87-102页 |
| ·小结(二) | 第102-104页 |
| 第五章 铜原子连续沉积在硅衬底上成膜 | 第104-146页 |
| ·研究背景 | 第104-108页 |
| ·模拟模型 | 第108-144页 |
| ·衬底温度对Cu原子连续沉积在Si(001)衬底上成膜质量的影响 | 第109-121页 |
| ·入射动能对Cu原子连续沉积在Si(001)衬底上成膜质量的影响 | 第121-128页 |
| ·衬底温度对Cu原子连续沉积在Si(111)衬底上成膜质量的影响 | 第128-137页 |
| ·入射动能对Cu原子连续沉积在Si(111)衬底上成膜质量的影响 | 第137-143页 |
| ·原子沉积率对Cu原子连续沉积在Si(001)衬底上成膜质量的影响 | 第143-144页 |
| ·小结 | 第144-146页 |
| 第六章 铜团簇连续沉积在硅衬底上成膜研究 | 第146-160页 |
| ·研究背景 | 第146页 |
| ·模拟模型 | 第146-147页 |
| ·模拟结果 | 第147-159页 |
| ·衬底温度对Cu13团簇沉积在Si(001)衬底上成膜质量的影响 | 第147-151页 |
| ·衬底温度对Cu13团簇沉积在Si(111)衬底上成膜质量的影响 | 第151-155页 |
| ·晶体取向对Cu55团簇沉积在Si衬底上成膜质量的影响 | 第155-156页 |
| ·入射动能对Cu55团簇沉积在Si(111)衬底上成膜质量的影响 | 第156-159页 |
| ·小结 | 第159-160页 |
| 第七章 非晶化锗材料的辐照损伤研究 | 第160-176页 |
| ·研究背景 | 第160-161页 |
| ·模拟模型 | 第161页 |
| ·结果和讨论 | 第161-174页 |
| ·研究孔洞演化过程 | 第161-170页 |
| ·采用拓扑学分析工具研究孔洞周围环的分布 | 第170-174页 |
| ·小结 | 第174-176页 |
| 第八章 总结 | 第176-180页 |
| 参考文献 | 第180-189页 |
| 在学期间的研究成果 | 第189-190页 |
| 致谢 | 第190页 |
