一种无线胎压系统的功率放大器的实现
| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-19页 |
| ·RFID 的介绍 | 第13-14页 |
| ·RFID 的特点 | 第14页 |
| ·RFID 的发展历程 | 第14-15页 |
| ·RFID 在胎压监测系统中的应用 | 第15-18页 |
| ·本文结构 | 第18-19页 |
| 第二章 RFID 发射端工作原理 | 第19-37页 |
| ·前言 | 第19页 |
| ·锁相环电路的基本模块 | 第19-20页 |
| ·锁相技术的特点 | 第20-21页 |
| ·射频功率放大器的介绍 | 第21页 |
| ·射频功率放大器的分类 | 第21-35页 |
| ·Class-A 功率放大器 | 第22-24页 |
| ·Class-B 功率放大器 | 第24-27页 |
| ·Class-AB 功率放大器 | 第27-28页 |
| ·Class-C 功率放大器 | 第28-30页 |
| ·Class-D 功率放大器 | 第30-32页 |
| ·Class-E 功率放大器 | 第32-34页 |
| ·Class-F 功率放大器 | 第34-35页 |
| ·功率放大器分类总结表 | 第35页 |
| ·射频功率放大器的电路结构 | 第35-36页 |
| ·射频功率放大器的参数 | 第36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 Class-E 功率放大器的工作原理 | 第37-56页 |
| ·前言 | 第37页 |
| ·Class-E 功率放大器的高效率满足条件 | 第37-38页 |
| ·MOS 管的工作原理 | 第38-41页 |
| ·强反型区 | 第38-40页 |
| ·MOS 晶体管的小信号模型 | 第40-41页 |
| ·MOS 管的用途 | 第41-44页 |
| ·放大作用 | 第41-42页 |
| ·偏置作用 | 第42-43页 |
| ·开关作用 | 第43-44页 |
| ·匹配网络元件值的计算 | 第44-49页 |
| ·功率放大器的功率损耗分析 | 第49-54页 |
| ·饱和电压引起的功率损耗 | 第50-51页 |
| ·饱和电阻引起的损耗 | 第51-52页 |
| ·漏级电流下降时间引起的损耗 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 Class-E 功率放大器的设计 | 第56-77页 |
| ·前言 | 第56页 |
| ·阻抗匹配网络的分析与设计 | 第56-66页 |
| ·典型的阻抗匹配网络 | 第57-59页 |
| ·大信号阻抗匹配 | 第59-60页 |
| ·散射参数 | 第60-62页 |
| ·输入匹配网络的设计 | 第62-63页 |
| ·输出匹配网络的设计 | 第63-64页 |
| ·Smith 圆图 | 第64-66页 |
| ·晶体管的选择 | 第66页 |
| ·功率放大器的设计和模拟仿真结果 | 第66-74页 |
| ·仿真结果分析 | 第74-75页 |
| ·输入功率扫描分析 | 第74-75页 |
| ·输入信号频率分析 | 第75页 |
| ·本章总结 | 第75-77页 |
| 第五章 Class-E 功率放大器的版图设计 | 第77-81页 |
| ·射频 CMOS 电路版图设计要点 | 第77-80页 |
| ·匹配器件的设计 | 第77页 |
| ·ESD 保护 | 第77-78页 |
| ·闩锁效应 | 第78-79页 |
| ·天线效应 | 第79页 |
| ·多层布线 | 第79页 |
| ·衬底耦合 | 第79-80页 |
| ·版图绘制时应注意的事项 | 第80-81页 |
| 第六章 Class-E 功率放大器非理想因素分析 | 第81-86页 |
| ·前言 | 第81页 |
| ·寄生电感产生与改进措施 | 第81-83页 |
| ·键合线电感模型 | 第83-84页 |
| ·本章小结 | 第84-86页 |
| 第七章 总结和展望 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
| 攻读硕士期间已发表或录用的论文 | 第91页 |
