| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第14-24页 |
| 1.1 引言 | 第14-15页 |
| 1.2 Mg合金的发展及应用 | 第15页 |
| 1.3 Mg合金的强化及Mg-Zn系合金研究现状 | 第15-22页 |
| 1.3.1 Mg合金的强化 | 第15-16页 |
| 1.3.2 Mg-Zn系合金的实验研究 | 第16-19页 |
| 1.3.3 Mg-Zn系合金的理论研究 | 第19-20页 |
| 1.3.4 Mg-Zn系合金的析出序列 | 第20-21页 |
| 1.3.5 Mg-Zn系合金析出相中的MgZn_2与Mg_4Zn_7 | 第21-22页 |
| 1.4 本文课题来源及主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 多粒子体系的第一性原理计算与界面结构的构建方法 | 第24-42页 |
| 2.1 引言 | 第24-25页 |
| 2.2 多粒子体系的薛定谔方程及其近似 | 第25-28页 |
| 2.2.1 薛定谔方程 | 第25页 |
| 2.2.2 绝热近似 | 第25-27页 |
| 2.2.3 Hartree-Fock方程 | 第27-28页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第28-35页 |
| 2.3.1 Thomas-Femi模型 | 第29-30页 |
| 2.3.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第30-31页 |
| 2.3.3 Kohn-Sham方程 | 第31-32页 |
| 2.3.4 交换关联能 | 第32-35页 |
| 2.4 布洛赫定理及PAW赝势方法 | 第35-37页 |
| 2.5 电子弛豫和离子弛豫 | 第37-38页 |
| 2.6 第一性原理计算软件包VASP及模拟软件 | 第38-40页 |
| 2.6.1 VASP计算软件包 | 第38-39页 |
| 2.6.2 Materials Studio和VESTA软件 | 第39-40页 |
| 2.7 界面模型的构建方法 | 第40-42页 |
| 2.7.1 界面模型基本结构 | 第40-41页 |
| 2.7.2 界面模型的构建方法 | 第41-42页 |
| 第三章 共格界面的构建与稳定性研究 | 第42-63页 |
| 3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.2 计算方法 | 第43-44页 |
| 3.3 共格界面的构建 | 第44-52页 |
| 3.3.1 界面模型的优化方法 | 第45-46页 |
| 3.3.2 α-Mg/MgZn_2共格界面位向关系及界面构建 | 第46-49页 |
| 3.3.3 Mg基体的厚度对界面模型晶格常数的影响 | 第49-50页 |
| 3.3.4 界面间距的确定 | 第50-52页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第52-61页 |
| 3.4.1 共格界面结构的界面能 | 第52-53页 |
| 3.4.2 共格界面原子的平均化学键数 | 第53-55页 |
| 3.4.3 原子的平均键数与界面能的关系 | 第55-56页 |
| 3.4.4 共格界面的应变能与形成能 | 第56-57页 |
| 3.4.5 OR1-I_6和OR2-I_1界面的结构 | 第57-61页 |
| 3.5 本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 半共格界面的性质与强化相的析出 | 第63-79页 |
| 4.1 引言 | 第63页 |
| 4.2 计算方法 | 第63-64页 |
| 4.3 半共格界面模型的构建 | 第64-67页 |
| 4.3.1 α-Mg/MgZn_2半共格界面的位向关系及界面构建 | 第64-66页 |
| 4.3.2 界面间距的确定 | 第66-67页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第67-78页 |
| 4.4.1 界面结构的失配度 | 第67-69页 |
| 4.4.2 界面结构的界面能 | 第69-70页 |
| 4.4.3 半共格界面原子的平均化学键数 | 第70-72页 |
| 4.4.4 界面结构的原子径向分布函数 | 第72-74页 |
| 4.4.5 界面结构的应变能与形成能 | 第74-76页 |
| 4.4.6 空位缺陷对界面结构稳定性的影响 | 第76-78页 |
| 4.5 本章小结 | 第78-79页 |
| 第五章 结论与展望 | 第79-82页 |
| 5.1 结论 | 第79-80页 |
| 5.2 创新点与展望 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-89页 |
| 作者在攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第89-90页 |
| 作者在攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第90-91页 |
| 致谢 | 第91页 |
